Dioda Schottky’ego SiC 10 A/1200 V o zakresie temperatury pracy od -60 do +230°C

XTR1K110 to wysokotemperaturowa dioda Schottky’ego produkowana na podłożu z węglika krzemu, zaprojektowana do zastosowań w ekstremalnych warunkach środowiskowych. Może ona pracować w zakresie temperatury otoczenia od -60 do +230°C. Charakteryzuje się napięciem przebicia 1200 V, dopuszczalnym prądem przewodzenia 10 A (50 A w impulsie) oraz ekstremalnie krótkimi czasami przełączania, niezależnymi od temperatury. Dopuszczalna moc rozpraszana w strukturze może osiągnąć 90 W przy idealnym chłodzeniu. Dodatni współczynnik temperaturowy umożliwia łatwe łączenie równoległe.

Dioda XTR1K110 może znaleźć zastosowanie w motoryzacji, lotnictwie, przemyśle wydobywczym i innych aplikacjach, w których najważniejszym kryterium jest niezawodność. Jest zamykana w obudowie TO-257.