Tranzystory p-MOSFET 5. generacji o napięciu przebicia -40/-60 V i małej rezystancji RDS(on)

Do oferty firmy Rohm wchodzą 24 nowe p-kanałowe tranzystory MOSFET 5. generacji, dostępne w konfiguracjach pojedynczych (ozn. RQxxxxxAT/RDxxxxxAT/RSxxxxxAT/RFxxxxxAT) i podwójnych (UTxxx5/QHxxx5/SHxxx5). Tranzystory te występują w wersjach o napięciu przebicia -40 V i -60 V. Mogą znaleźć zastosowanie m.in. w przetwornicach DC-DC pracujących z napięciem wejściowym 24 V. Przewagą p-kanałowych tranzystorów MOSFET nad n-kanałowymi jest możliwość sterowania bramki tranzystora high-side w przełączniku napięciem mniejszym od napięcia wejściowego.

Nowe tranzystory są polecane do zastosowań jako przełączniki w systemach zarządzania zasilaniem m.in. w układach napędowych, robotyce i systemach klimatyzacji. Charakteryzują się najmniejszą w swojej klasie rezystancją kanału w przeliczeniu na powierzchnię, co pozwoliło obniżyć rezystancję R_DS(on) w stosunku do konwencjonalnych wersji o 62% dla tranzystorów 40-woltowych i 52% dla 60-woltowych. Są zamykane w obudowach o wymiarach od 2,0 x 2,0 x 0,6 mm (DFN2020-8) do 10 x 6,6 x 2,3 mm (DPak). W zależności od wersji dopuszczalny prąd drenu wynosi od 3,5 A (RQ6L035AT w obudowie TSMT-8) do 78 A (RS1G201AT w obudowie HSOP-8).