Elementy optoelektroniczne
Dioda LED full-color o powierzchni 1,6 x 1,6 mm i grubości 0,7 mm
W ofercie firmy TTi pojawiła się miniaturowa dioda LED full-color KPTF-1616RGBC-11 produkcji Kingbright, dostarczana w obudowie SMD o powierzchni 1,6 x 1,6 mm i grubości 0,7 mm. Zawiera sekcje R, G i B, produkowane w technologii AlGaInP i InGaN, umożliwiające generowanie dowolnej barwy, w tym światła białego. Dzięki małym wymiarom i energooszczędnej pracy, jest polecana do zastosowań m.in. w urządzeniach przenośnych, wskaźnikach stanu i podświetleniach ekranów. Charakteryzuje się strumieniem wynoszącym typowo 110, 280 i 70 mcd @ 20 mA dla sekcji R, G i B, dopuszczalnym napięciem wstecznym 5 V, kątem emisji 130° i pojemnością wewnętrzną odpowiednio 25 pF, 4 pF i 100 pF. Może pracować w szerokim zakresie dopuszczalnej temperatury pracy od -40 do +85°C.
Podzespoły półprzewodnikowe
Zaawansowany czujnik obrazu o rozdzielczości 50 megapikseli do zastosowań w smartfonach
OV50M40 to zaawansowany czujnik obrazu formatu 1/2,88" z interfejsem CPHY/DPHY MIPI, opracowany przez firmę Omnivision, zaprojektowany do zastosowań w smartfonach. Został zrealizowany w technologii CMOS. Charakteryzuje się rozdzielczością 50 megapikseli i średnicą piksela 0,61 µm. Może być stosowany w różnych rodzajach kamer, w tym w kamerze głównej, przedniej, ultra-szerokokątnej i teleobiektywie, umożliwiając rejestrowanie dobrej jakości obrazu również w warunkach słabego oświetlenia zewnętrznego, dzięki technice łączenia pikseli (4-cell binning). Ponadto, oferuje inne zaawansowane funkcje, takie jak single exposure dual analog gain (DAG) HDR oraz autofokus z detekcją fazy (PDAF).
Elementy optoelektroniczne
Diody LED XLamp XE-G firmy Cree w wersjach o większej o 20% sprawności energetycznej
Firma Cree powiększa ofertę diod LED rodziny XLamp XE-G o zmodyfikowane wersje, charakteryzujące się większą jasnością i mniejszym napięciem przewodzenia. Cechy te pozwoliły zwiększyć ich sprawność energetyczną średnio o 20%. Są to diody produkowane w obudowach SMD o powierzchni 2,05 x 1,6 mm i grubości 1,0 mm z minimalnym odstępem między krawędzią chipa LED i krawędzią obudowy (około 0,1 mm), umożliwiającym gęsty montaż. Nadają się do zastosowań w sektorze motoryzacyjnym, rozrywkowym oraz oświetlenia wnętrz i oświetlenia architektonicznego.
Podzespoły półprzewodnikowe
Najmniejszy na rynku kontroler projektorów DLP o powierzchni 9 x 9 mm
DLPC8445 to najmniejszy na rynku kontroler projektorów DLP o rozdzielczości 4K UHD, zamykany w obudowie o powierzchni 9 x 9 mm. W porównaniu z układami poprzedniej generacji, jego powierzchnię zmniejszono aż o 90%, co pozwala na zastosowania m.in. w projektorach do gier i okularach AR.
Elementy optoelektroniczne
Fotodetektor MPPC o dużej sprawności kwantowej do zastosowań w LiDARach
Firma Hamamatsu Photonics opracowała nowy typ fotodetektora MPPC (SiPM) do zastosowań w LiDARach, charakteryzującego się dużą sprawnością kwantową. Model S16786-0515WM pracuje w zakresie optycznym i bliskiej podczerwieni (400...1000 nm) ze szczytową czułością przypadającą na długości fali 660 nm. Zawiera matrycę 1089 pikseli o średnicy 15 µm, rozmieszczonych na powierzchni światłoczułej 0,5 x 0,5 mm. Wykazuje małe przesłuchy międzykanałowe na poziomie 2%. Dzięki małym wymiarom diod SPAD (Single Photon Avalanche Diode), oferuje szeroki zakres dynamiczny, a zastosowane w nim mikrosoczewki zapewniają dużą sprawność kwantową (15% @ 905 nm). Układ jest przystosowany do pracy w zakresie temperatury otoczenia od -40 do +105°C.
Elementy optoelektroniczne
8-kanałowy laser impulsowy 915 nm do systemów autonomicznego kierowania
ams OSRAM wprowadza na rynek 8-kanałowy laser impulsowy do LiDARów samochodowych o długim zasięgu i systemów autonomicznego kierowania, oznaczony symbolem SPL S8L91A_3 A01. Jest to laser EEL (edge-emitting laser) z kwalifikacją AEC-Q102, zamykany w obudowie QFN. Pracuje na długości fali 915 nm, charakteryzuje się szczytową mocą optyczną 1000 W (po 125 W na kanał) i sprawnością sięgającą 30%. Struktura wewnętrzna układu obejmuje 4 sekcje anodowe z niezależnym adresowaniem, połączone z różnicowymi kanałami laserowymi, co daje dodatkową elastyczność przy projektowaniu urządzeń końcowych.
Elementy optoelektroniczne
Krzemowa fotodioda PIN o dużej czułości do aplikacji biomedycznych
Do oferty firmy Vishay wchodzi krzemowa fotodioda PIN o symbolu VEMD8082, zaprojektowana do zastosowań w aplikacjach biomedycznych, m.in. w urządzeniach do monitorowania tętna i pomiaru wysycenia krwi tlenem. Dzięki bardzo małej grubości, jest szczególnie polecana do smartwatchów i innych urządzeń niskoprofilowych. Zapewnia dużą czułość w zakresie widzialnym i bliskiej podczerwieni od 350 to 1100 nm.
Elementy optoelektroniczne
Szybka dioda IR LED o długości fali 890 nm i czasie przełączania 15 ns
Do oferty podzespołów optoelektronicznych firmy Vishay wchodzi szybka dioda IR LED o symbolu TSHF5211, zaprojektowana do zastosowań w czujnikach przemysłowych. Wykazuje ona krótki czas przełączania (15 ns) i większą o 50% intensywność od wcześniejszych odpowiedników, wynoszącą 235 mW/sr przy prądzie sterowania 100 mA. Może pracować w przemysłowym zakresie temperatury otoczenia od -40 do +85°C.
Elementy optoelektroniczne
Miniaturowy, energooszczędny czujnik obrazu global shutter do kamer śledzących AR/VR/MR
Omnivision wprowadza do sprzedaży miniaturowy, energooszczędny czujnik obrazu BSI global shutter o oznaczeniu OG0TC, zaprojektowany do śledzenia ruchów oczu i twarzy w okularach i zestawach nagłownych AR/VR/MR. Jest on pierwszym w ofercie firmy czujnikiem typu global shutter, korzystającym z opatentowanej technologii DCG HDR, pozwalającej na uzyskanie szerokiego zakresu dynamicznego obrazu, bez tzw. efektu ducha (ghosting). Charakteryzuje się wyjątkowo małą powierzchnią obudowy, wynoszącą zaledwie 1,64 x 1,64 mm. Zapewnia kompatybilność pod względem rozkładu wyprowadzeń z czujnikiem GS poprzedniej generacji, co ułatwia modernizację istniejących projektów, natomiast wykazuje w stosunku do niego mniejszy o 40% pobór mocy.