Optoelektronika / Produkty

Firma Hamamatsu Photonics opracowała miniaturowy spektrometr, wrażliwy na promieniowanie UV, zamykany w obudowie o wymiarach 20,1 x 12,5 x 10,1 mm. Pracuje on na długości fali od 190 do 440 nm i zapewnia rozdzielczość widmową (FWHM) wynoszącą typowo 5,5 nm. Poza małymi wymiarami do jego zalet należy też duża czułość i mały pobór mocy.

Niskoprofilowe diody LED OSTAR Projection Compact firmy ams OSRAM są obecnie dostępne w wersjach czerwonej, zielonej i niebieskiej, przeznaczonych do zastosowań w systemach wizyjnych i oświetleniu scenicznym. Do tej pory dostępne były odpowiedniki o nazwie OSLON Boost w wersji białej, produkowane w tym samym typie obudowy.

ams OSRAM wprowadza na rynek 3. generację diod LED OSLON Submount PL do reflektorów samochodowych. Dzięki możliwości bezpośredniego montażu na radiatorach, pozwalają one obniżyć ogólne koszty systemów oświetleniowych, eliminując potrzebę projektowania płytek drukowanych.

Firma Hamamatsu Photonics zaprojektowała szybki czujnik obrazu InGaAs, pracujący w bliskiej podczerwieni, oferujący nawet dwukrotnie szerszy zakres dynamiczny od stosowanych obecnie odpowiedników do kamer hiperspektralnych. Model G16564-0808T umożliwia analizę sygnałów o wybranych przez użytkownika długościach fali, co pozwala na zastosowania przy analizie obiektów o różnym składzie materiałowym i różnych rozmiarach, np. przy recyklingu tworzyw sztucznych oraz kontroli jakości leków i żywności, w tym zamienników pochodzenia roślinnego. Czujnik zawiera matrycę 320 x 256 pikseli, rozstawionych co 20 µm. Charakteryzuje się zakresem spektralnym od 1,7 do 2,55 µm, maksymalną szybkością próbkowania 502 fps i zakresem dynamicznym równym 3000.

Czujniki obrazu CMOS BSI nowej rodziny Hyperlux LP wyróżniają się małym poborem mocy, pozwalającym wydłużyć czas pracy urządzeń bateryjnych nawet o 40% w aplikacjach Smart Home and Office w porównaniu z wcześniejszymi odpowiednikami. Charakteryzują się średnicą piksela 1,4 µm, pozwalającą na rejestrowanie wysokiej jakości obrazów również przy słabym oświetleniu zewnętrznym, a ich pionowa architektura (stacked) pozwala na zastosowania w urządzeniach, w których kluczowe znaczenie ma powierzchnia obudowy. W zależności od aplikacji docelowej, użytkownicy mogą wybierać między modelami AR0544 (1/4,2"), AR0830 (1/2,9") i AR2020 (1/1,8") o rozdzielczości odpowiednio 2592 x 1944, 3840 x 2160 i 5120 x 3840 pikseli.

Toshiba wprowadza na rynek nowy typ fotoprzekaźnika 1-Form-A o obciążalności 60 V/0,4 A, zaprojektowanego specjalnie pod kątem ograniczenia strat wtrąconych w układach w.cz. Jest on przeznaczony do zastosowań w testerach modułów i komponentów półprzewodnikowych, w tym szybkich pamięci i układów logicznych.

Panasonic Industry powiększa rodzinę fotoprzekaźników PhotoMOS o nowy model AQY206GV o napięciu znamionowym 600 V i dopuszczalnym ciągłym prądzie obciążenia 150 mA (450 mA w impulsie 100 ms). Jest on zamykany w obudowie SSOP o wymiarach 4,45 x 2,65 x 1,8 mm. Zapewnia płynne przełączanie obciążeń AC i DC, bez powodowania oscylacji. Może być stosowany w nowoczesnych urządzeniach przemysłowych, aparaturze pomiarowej, maszynach do inspekcji i wielopunktowych rejestratorach danych. Charakteryzuje się krótkim czasem włączania i wyłączania, małą rezystancją w stanie On (typ. 8 Ω) i napięciem izolacji 1500 V rms. Może pracować w temperaturze otoczenia od -40 do +105°C.

Firma TTi Europe oferuje serię diod SMD LED KA-4040 produkcji Kingbright, zamykanych w obudowach PLCC2 z boczną emisją (Right Angle) o powierzchni 4,0 x 3,6 mm i wysokości 4,0 mm. W porównaniu ze standardowymi diodami Right Angle, charakteryzują się one większą wysokością i 3-krotnie większą intensywnością. Są polecane do zastosowań m.in. w przemyśle, układach podświetlania backlight oraz jako wskaźniki statusu w aparaturze medycznej i urządzeniach AGD.

AQY212G3HS i AQY232G3HS to miniaturowe fotoprzekaźniki 1 Form A linii PhotoMOS ze stopniem wyjściowym zrealizowanym na tranzystorach MOSFET. Charakteryzują się dużym prądem znamionowym w stosunku do wymiarów obudowy, dużą dopuszczalną temperaturą pracy i dużym napięciem izolacji. Oba są zamykane w obudowach SOP4 o wymiarach 4,4 x 4,3 x 2,0 mm. Zapewniają izolację do 3750 V rms, podczas gdy dla większości odpowiedników jest to 1500 V rms.