Optoelektronika / Produkty

4- i 6-kanałowe sterowniki LED do układów podświetlania ekranów samochodowych
Elementy optoelektroniczne

4- i 6-kanałowe sterowniki LED do układów podświetlania ekranów samochodowych

Diody UV-C LED średniej mocy o dominującej długości fali 275 nm
Elementy optoelektroniczne
Diody UV-C LED średniej mocy o dominującej długości fali 275 nm
Diody UV-C nowej serii OSLON UV 3535 firmy ams Osram wykazują dłuższą żywotność i większą moc wyjściową od wcześniejszych wersji, a dodatkowo są łatwiejsze w integracji. Mogą znaleźć zastosowanie w klimatyzacji oraz systemach uzdatniania wody i oczyszczania powierzchni. Ich moc wyjściowa wynosi 40 mW przy prądzie sterowania 185 mA (model SU CULDP1.VC) oraz 75 mA przy prądzie 350 mA (SU CULEP1.VC). Obie diody pracują na dominującej długości fali 275 nm. Są produkowane w ceramicznych obudowach o powierzchni 3,5 x 3,5 mm ze zintegrowanym reflektorem. Projektant ma możliwość zastosowania własnego układu optycznego, zoptymalizowanego do wymogów konkretnej aplikacji. Kolejne zalety to bardzo długi czas bezawaryjnej pracy oraz zintegrowana ochrona przed wyładowaniami ESD do 5 kV (HBM).
Miniaturowa dioda laserowa SMD o szerokości szczeliny 110 µm
Elementy optoelektroniczne
Miniaturowa dioda laserowa SMD o szerokości szczeliny 110 µm
ams OSRAM wprowadza na rynek miniaturową diodę laserową SPL S1L90H_3, wyróżniającą się małą szerokością szczeliny, wynoszącą 110 µm. Jest to dioda z emisją boczną, polecana do zastosowań w LiDARach o krótkich impulsach i dużym zasięgu w dronach, robotach oraz automatyce budynków i automatyce przemysłowej. Pracuje na długości fali 907 nm. Jest elementem wielozłączowym ze strukturą wewnętrzną obejmującą 3 emitery ułożone warstwowo wewnątrz obudowy SMD o wymiarach 2,3 x 2,0 x 0,69 mm. Generuje maksymalną moc szczytową 75 W, zapewniając dobre oświetlenie obszaru docelowego z dużej odległości m.in. w czujnikach optycznych 3D oraz aplikacjach do lokalizacji i mapowania (SLAM).
8-megapikselowy czujnik obrazu BSI CMOS o zakresie dynamicznym 120 dB
Elementy optoelektroniczne
8-megapikselowy czujnik obrazu BSI CMOS o zakresie dynamicznym 120 dB
Jednym z głównych wyzwań stojących przed nowoczesnymi czujnikami obrazu jest konieczność pracy w niekontrolowanych warunkach oświetleniowych. W szczególności chodzi tu o sceny zawierające jednocześnie bardzo jasne i ciemne obszary. Wiele technik HDR wymaga wysłania do 3 obrazów różniących się czasem ekspozycji do procesora obrazu (ISP), jednak tego typu podejście wymaga nawet 3-krotnie większej przepustowości systemu i droższych komponentów, zwłaszcza w przypadku rejestrowania obrazu w dużej rozdzielczości.
8,4-calowe LCD-TFT do pracy w ekstremalnych temperaturach
Elementy optoelektroniczne
8,4-calowe LCD-TFT do pracy w ekstremalnych temperaturach
W ofercie Unisystemu dostępna jest nowa seria 8,4-calowych wyświetlaczy LCD-TFT firmy Winstar, które – dzięki szerokiemu zakresowi temperatur mieszczącemu się w przedziale od -30 do 80°C – doskonale sprawdzą się w aplikacjach przemysłowych. Mają one proporcje boków 4:3 i rozdzielczość 1024x768 pikseli. Matryca IPS (80°/80°/80°/80°) zapewnia czytelność treści bez względu na płaszczyznę oglądu. Dwa modele z serii producent określa jako „warianty o wysokiej jasności”, tj. 1000 i 800 cd/m². Ponadto, w wariantach WF0840ATWAMLNB0# oraz WF0840ASWAMLNB0# wprowadzono funkcję dotyku poprzez połączenie z pojemnościowymi sensorami dotykowymi. Do transmisji danych we wszystkich omawianych modelach wykorzystywany jest interfejs LVDS.
Czujniki promieniowania UV-B i UV-C zrealizowane na podłożach GaN
Elementy optoelektroniczne
Czujniki promieniowania UV-B i UV-C zrealizowane na podłożach GaN
Kyoto Semiconductor ogłasza wprowadzenie na rynek dwóch czujników UV, zrealizowanych na podłożach GaN: KPDU086SU27-H11Q i KPDU086SU31-H11Q. Są to czujniki zaprojektowane do pracy na długości fali UV-B i UV-C, pozwalające uzyskać większą czułość niż w przypadku tradycyjnych odpowiedników krzemowych.
Dwuzłączowa dioda VCSEL 940 nm o dużej sprawności energetycznej
Elementy optoelektroniczne
Dwuzłączowa dioda VCSEL 940 nm o dużej sprawności energetycznej
Dzięki dwuzłączowej konstrukcji, nowa dioda VCSEL VD-0940V-015M-xx-2B0 firmy Laser Components umożliwia konwersję prądu 8 mA na moc wyjściową 15 mW, co oznacza sprawność konwersji równą 52%. Okrągła wiązka w technologii VCSEL charakteryzuje się kątem dywergencji wynoszącym jedynie 25°, co pozwala na praktycznie bezstratne sprzężenie z włóknem optycznym. Szeroki zakres temperatury pracy od -40 do +85°C pozwala na zastosowania w motoryzacji, np. do rozpoznawania gestów i rozpoznawania twarzy.
Dwukanałowe sprzęgacze optyczne WL-OCPT w wersjach DIP-8
Elementy optoelektroniczne
Dwukanałowe sprzęgacze optyczne WL-OCPT w wersjach DIP-8
Dwukanałowe, fototranzystorowe sprzęgacze optyczne WL-OCPT firmy Wurth Elektronik są obecnie dostępne w wersjach w obudowach DIP-8 z czterema wariantami wyprowadzeń, przystosowanych do montażu SMT i THT. Zawierają dwa odseparowane tory sygnałowe z diodą LED i fototranzystorem. Charakteryzują się izolacją do 5 kV (1 min., 40...60 %RH) i stabilnym współczynnikiem CTR w całym zakresie dopuszczalnej temperatury pracy od -55 do +110°C. Mogą pracować z napięciem kolektor-emiter do 80 V i maksymalnym ciągłym prądem przewodzenia 60 mA (do 1 A w szczycie przy cyklu pracy 1/100 i częstotliwości 100 Hz. Spełniają wymogi normy branżowej DIN-EN-60747-5-5.
Miniaturowy czujnik obrazu CMOS global shutter 800 x 600 na zakres widzialny i NIR
Elementy optoelektroniczne
Miniaturowy czujnik obrazu CMOS global shutter 800 x 600 na zakres widzialny i NIR
ams OSRAM wprowadza na rynek nowy, miniaturowy czujnik obrazu CMOS pracujący w trybie global shutter, rejestrujący obraz w paśmie widzialnym i bliskiej podczerwieni. Mira050 to czujnik o rozdzielczości 800 x 600 pikseli w przypadku wersji dostarczanej w postaci struktury półprzewodnikowej i 768 x 576 pikseli w przypadku wersji w obudowie CSP.
Tani fotodetektor na zakres do 11 µm o dużej czułości i krótkim czasie reakcji
Elementy optoelektroniczne
Tani fotodetektor na zakres do 11 µm o dużej czułości i krótkim czasie reakcji
Firma Hamamatsu Photonics opracowała miniaturowy, tani fotodetektor o dużej czułości i krótkim czasie reakcji z wbudowanym przedwzmacniaczem. P16702-011MN został zrealizowany w technologii InAsSb. Charakteryzuje się dużą czułością w zakresie średniej podczerwieni (do 11 µm). W porównaniu poprzednimi odpowiednikami o zbliżonej czułości, P16702-011MN jest mniejszy i tańszy, a ponadto charakteryzuje się krótkim czasem reakcji. Nadaje się idealnie do zastosowań np. w przenośnych analizatorach gazów do badania składników spalin (w tym tlenków azotu i tlenków siarki) wokół fabryk.

Informator Rynkowy Elektroniki 2025 już dostępny! Pobierz!

Informator Rynkowy Elektroniki to największe źródło informacji dla polskiego rynku elektroniki. To publikacja przeznaczona dla menadżerów i kadry zarządzającej, ale także dla inżynierów konstruktorów oraz pracowników działów zaopatrzeniowych firm. Znajdź dostawców i producentów! Pozyskaj klientów! Pobierz bezpłatnie!
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów