Przełączniki mikrofalowe dużej mocy na pasmo do 18 GHz z diodami GaN PIN

Fairview Microwave wprowadza na rynek nową serię przełączników mikrofalowych dużej mocy, zrealizowanych na diodach PIN produkowanych w podłożach GaN. Wyróżniają się one dużym współczynnikiem mocy do objętości, bardzo dobrymi właściwościami termicznymi, dużym napięciem przebicia i krótkimi czasami przełączania od 50 ns. Zostały zaprojektowane do zastosowań w.in. w aplikacjach wojskowych i lotniczych, komunikacji satelitarnej i aparaturze pomiarowej. Są produkowane w obudowach o bardzo dobrych właściwościach termicznych z portami współosiowymi typu N i SMA. Jako komponenty do zastosowań wojskowych i lotniczych, są niewrażliwe na udary i wibracje mechaniczne, wilgoć i niskie ciśnienie.

Oferta przełączników FMSW110x obejmuje 10 wersji odbiciowych o konfiguracjach SPDT i SP4T. Mogą one pracować w zakresie częstotliwości od DC do 6, 12 lub 18 GHz z maksymalną mocą wejściową, wynoszącą w zależności od modelu od 10 do 100 W. Charakteryzują się stratami wtrąconymi od 0,9 dB, izolacją do 45 dB, wejściowym współczynnikiem IP3 do 55 dB i punktem 1-decybelowej kompresji wzmocnienia do +55 dBm.