stdClass Object
(
    [id] => 12583
    [categories_id] => 2757
    [categories_type_id] => 1511
    [categories_article_type_id] => 2686
    [catalog_firm_id] => 508
    [users_last_edit_id] => 1388
    [assets_id] => 
    [ulubionykiosk_id] => 0
    [name] => Podwójne tranzystory SiC MOSFET 1200 V/150 A w obudowach Easy 2B
    [alias] => podwojne-tranzystory-sic-mosfet-1200-v-150-a-w-obudowach-easy-2b
    [introtext] => 

Infineon Technologies powiększa ofertę 1200-woltowych tranzystorów CoolSiC MOSFET do systemów zasilania. Nowe, podwójne tranzystory CoolSiC Easy 2B pozwalają zredukować koszty systemu dzięki zwiększeniu gęstości mocy. Mniejsze o 80% straty w stosunku do krzemowych tranzystorów IGBT pozwalają tu na osiągnięcie sprawności falownika nawet powyżej 99%.

[fulltext] =>

Ze względu na właściwości technologii SiC, tranzystory te mogą pracować z większą częstotliwością, co jest istotne w aplikacjach o krótkich czasach przełączania, jak zasilacze UPS i źródła energii. Obudowy modułów Easy 2B charakteryzują się niezwykle małą indukcyjnością pasożytniczą. Infineon oferuje obecnie najszerszą ofertę rynkową modułów SiC w obudowach Easy, obejmującą wersje half-bridge, six-pack i booster.

Moduły CoolSiC zamykane w obudowach Easy 2B (62,8 x 48 mm), dostępne w konfiguracji half-bridge, mogą być łatwo łączone w topologiach four-pack i six-pack. Charakteryzują się bardzo małą rezystancją RDS(on), wynoszącą już od 6 mΩ. Pracują z maksymalnym ciągłym prądem drenu wynoszącym 150 A i z prądem szczytowym do 300 A. Zawierają wbudowany czujnik temperatury NTC.

[price] => 0.00 [price_old] => [meta_title] => [meta_description] => [meta_data] => [published] => 1 [date_modified] => 2019-04-03 07:59:24 [date_created] => 2019-04-03 07:57:00 [date_publish] => 2019-04-03 05:47:00 [date_publish_down] => 0000-00-00 00:00:00 [hits] => 0 [checked_out] => 0 [checked_out_time] => 0000-00-00 00:00:00 [redakcja] => 1 [ceneo_phrase] => [product_name] => [www] => www.infineon.com [firm_name] => Infineon Technologies AG [firmId] => 508 [firmType] => 1975 [firmCategory] => 2457 [firmAlias] => infineon-technologies-ag [firmWww] => http://www.infineon.com [firmPaid] => 0 [categoryTitle] => Podzespoły energoelektroniczne [articleTypeId] => 2686 [articleTypeTitle] => Komponenty [linkCategory] => /produkty/podzespoly-elektroniczne/podzespoly-energoelektroniczne [articleTypeListLink] => /komponenty/produkty )

Podwójne tranzystory SiC MOSFET 1200 V/150 A w obudowach Easy 2B

Produkt firmy:

Infineon Technologies AG

Infineon Technologies powiększa ofertę 1200-woltowych tranzystorów CoolSiC MOSFET do systemów zasilania. Nowe, podwójne tranzystory CoolSiC Easy 2B pozwalają zredukować koszty systemu dzięki zwiększeniu gęstości mocy. Mniejsze o 80% straty w stosunku do krzemowych tranzystorów IGBT pozwalają tu na osiągnięcie sprawności falownika nawet powyżej 99%.

Ze względu na właściwości technologii SiC, tranzystory te mogą pracować z większą częstotliwością, co jest istotne w aplikacjach o krótkich czasach przełączania, jak zasilacze UPS i źródła energii. Obudowy modułów Easy 2B charakteryzują się niezwykle małą indukcyjnością pasożytniczą. Infineon oferuje obecnie najszerszą ofertę rynkową modułów SiC w obudowach Easy, obejmującą wersje half-bridge, six-pack i booster.

Moduły CoolSiC zamykane w obudowach Easy 2B (62,8 x 48 mm), dostępne w konfiguracji half-bridge, mogą być łatwo łączone w topologiach four-pack i six-pack. Charakteryzują się bardzo małą rezystancją RDS(on), wynoszącą już od 6 mΩ. Pracują z maksymalnym ciągłym prądem drenu wynoszącym 150 A i z prądem szczytowym do 300 A. Zawierają wbudowany czujnik temperatury NTC.

Zapytanie ofertowe
Dotyczy produktu
Podwójne tranzystory SiC MOSFET 1200 V/150 A w obudowach Easy 2B
Firma: Infineon Technologies AG
Kategoria: Podzespoły energoelektroniczne
Treść zapytania *
Imię i nazwisko *
Nazwa firmy
Adres firmy
Kod pocztowy
Miasto
E-mail *
Telefon
Usługa przesyłania zapytań ofertowych jest bezpłatna i nie rodzi żadnego zobowiązania po stronie zadającego pytanie. Administratorem danych osobowych jest AVT-Korporacja sp. z o.o. z siedzibą: ul. Leszczynowa 11, 03-197 Warszawa. Celem przetwarzania danych jest realizacja usługi i jest ograniczone czasowo do jej wykonania. Podstawa prawna: art. 5, 6, 12, 13 Ogólnego rozporządzenia o ochronie danych osobowych (RODO).