Podwójne tranzystory SiC MOSFET 1200 V/150 A w obudowach Easy 2B

Infineon Technologies powiększa ofertę 1200-woltowych tranzystorów CoolSiC MOSFET do systemów zasilania. Nowe, podwójne tranzystory CoolSiC Easy 2B pozwalają zredukować koszty systemu dzięki zwiększeniu gęstości mocy. Mniejsze o 80% straty w stosunku do krzemowych tranzystorów IGBT pozwalają tu na osiągnięcie sprawności falownika nawet powyżej 99%.

Ze względu na właściwości technologii SiC, tranzystory te mogą pracować z większą częstotliwością, co jest istotne w aplikacjach o krótkich czasach przełączania, jak zasilacze UPS i źródła energii. Obudowy modułów Easy 2B charakteryzują się niezwykle małą indukcyjnością pasożytniczą. Infineon oferuje obecnie najszerszą ofertę rynkową modułów SiC w obudowach Easy, obejmującą wersje half-bridge, six-pack i booster.

Moduły CoolSiC zamykane w obudowach Easy 2B (62,8 x 48 mm), dostępne w konfiguracji half-bridge, mogą być łatwo łączone w topologiach four-pack i six-pack. Charakteryzują się bardzo małą rezystancją R_DS(on), wynoszącą już od 6 mΩ. Pracują z maksymalnym ciągłym prądem drenu wynoszącym 150 A i z prądem szczytowym do 300 A. Zawierają wbudowany czujnik temperatury NTC.