650-woltowe tranzystory SiC FET do pracy w układach hard-switching
Firma UnitedSiC dodaje do oferty dwa nowe 650-woltowe tranzystory SiC FET, stanowiące rozszerzenie serii UF3C FAST. Są to tranzystory przeznaczone do pracy w układach hard-switching, zamykane w obudowach TO220-3L. Mogą znaleźć szeroki zakres zastosowań w zasilaczach impulsowych, układach korekcji PFC, grzejnikach indukcyjnych, układach napędowych, ładowarkach akumulatorów i falownikach instalacji fotowoltaicznych. Różnią się rezystancją RDS(on) i dopuszczalnym prądem drenu, wynoszącymi 30 mΩ/85 A dla UF3C065030T3S oraz 80 mΩ/31 A dla UF3C065080T3S.
Oba tranzystory zrealizowano w konfiguracji kaskody z normalnie włączonym tranzystorem SiC JFET i krzemowym tranzystorem MOSFET, tworzącymi normalnie wyłączony tranzystor SiC FET. W istniejących projektach mogą one być stosowane jako zamienniki krzemowych tranzystorów IGBT, FET i superzłączowych oraz tranzystorów SiC MOSFET, pozwalające ograniczyć straty na przewodzenie i przełączanie oraz poprawić właściwości termiczne. Zawierają zabezpieczenie bramki przed wyładowaniami ESD.
W przypadku nowych projektów, tranzystory UF3C FAST pozwalają zwiększyć częstotliwość taktowania, a w konsekwencji zwiększyć sprawność energetyczną oraz zmniejszyć wymiary i koszt zewnętrznych cewek i kondensatorów. Ponadto, do zalet tranzystorów serii FAST należy bardzo mały ładunek bramki i łagodna charakterystyka regeneracji. Nadają się one doskonale do przełączania obciążeń o charakterze indukcyjnym, pod warunkiem zastosowania rekomendowanych filtrów RC.
Oferta tranzystorów SiC UF3C FAST firmy UnitedSiC obejmuje obecnie 14 wersji zamykanych w obudowach TO247-3L, TO247-4L, TO220-3L i D2PAK7-3L. Są one produkowane na napięcia znamionowe 650 i 1200 V. Ceny hurtowe UF3C065080T3S i UF3C065030T3S wynoszą odpowiednio 5,18 USD i 13,79 USD przy zamówieniach 1000 sztuk.
