Przemysłowy moduł SiC MOSFET o dużej sprawności i małych gabarytach

Toshiba Electronics powiększa ofertę podzespołów półprzewodnikowych o dużej szerokości pasma zabronionego o małogabarytowy moduł SiC MOSFET o dużej sprawności, oznaczony symbolem MG800FXF2YMS3. Jest to moduł dwukanałowy o napięciu przebicia 3300 V, zrealizowany na bazie tranzystorów o dopuszczalnym prądzie drenu 800 A. Został on zaprojektowany do zastosowań w przemysłowych układach napędowych, falownikach w systemach fotowoltaicznych oraz falownikach w infrastrukturze kolejowej.

Kluczowe znaczenie dla uzyskania dużej sprawności energetycznej nowych modułów SiC MOSFET ma zastrzeżona technologia produkcji obudów. Obudowy iXPLV (intelligent flexible package low voltage), wykonane z wykorzystaniem zaawansowanej technologii połączeń ze spiekanego srebra, umożliwiają pracę struktury półprzewodnikowej w zakresie temperatury do +175°C oraz zapewniają izolację do 6000 V rms. Straty przy włączaniu i wyłączaniu zredukowano do odpowiednio 250 mJ i 240 mJ, a indukcyjność pasożytniczą do zaledwie 12 nH.