1200-woltowe moduły wysokoprądowe i tranzystory αSiC MOSFET w nowych typach obudów
Na targach PCIM Europe 2024 firma Alpha and Omega Semiconductor zaprezentowała 650- i 1200-woltowe tranzystory αSiC MOSFET 2. generacji, zamykane w nowych typach obudów. Są one polecane do wielu krytycznych zastosowań, takich jak ładowarki pojazdów elektrycznych, falowniki w instalacjach fotowoltaicznych i zasilacze przemysłowe, dając projektantom dodatkową elastyczność, dzięki wielu opcjom optymalizacji systemu.
Pierwszym z nowych tranzystorów jest AOBB040V120X2Q o parametrach znamionowych 1200 V/40 mΩ, zamykany w obudowie D2PAK-7L. Pozwala on zastąpić tranzystory w tradycyjnych obudowach through-hole. Uzyskał kwalifikację AEC-Q101, zapewniającą zgodność z wymogami wytrzymałościowymi i niezawodnościowymi w przemyśle motoryzacyjnym. Może być stosowany np. w ładowarkach pokładowych i innych podsystemach, w których wydajne chłodzenie może być zapewnione przez przelotki i radiatory umieszczone na tylnej powierzchni płytki drukowanej. Upraszcza to montaż i zapewnia dużą gęstość mocy.
Dodatkowo, producent oferuje wersje w obudowach SMD typu GTPAK z chłodzeniem przez górną powierzchnię, wykazujących bardzo małą rezystancję termiczną i zwiększających szybkość odprowadzania ciepła z płytki drukowanej. Pierwszym tranzystorem w obudowie GTPAK jest AOGT020V120X2 o parametrach znamionowych 1200 V/20 mΩ.
Nowa oferta obejmuje też pierwszy moduł wysokoprądowy nowej rodziny αSiC AlphaModule, oznaczony symbolem AOH010V120AM2. Jest to moduł półmostkowy o parametrach 1200 V/10 mΩ, zawierający wyprowadzenia press-fit i wewnętrzny termistor, pozwalający zastąpić kilka komponentów dyskretnych i zmniejszyć wymaganą powierzchnię płytki drukowanej. Ułatwia projektowanie urządzeń końcowych, dzięki rozdzieleniu sekcji elektrycznej i sekcji chłodzenia.
