1200-woltowy, 75-amperowy tranzystor IGBT do fotowoltaiki

Magnachip Semiconductor uzupełnia ofertę tranzystorów IGBT, przeznaczonych do zastosowań w falownikach fotowoltaicznych. Do oferty wchodzi 1200-woltowy model MBQA75T120RFS, zamykany w obudowie TO-247PLUS, mogący pracować z maksymalnym ciągłym prądem drenu 75 A. Jego masowa produkcja rusza w październiku 2024. Tranzystor ten uzupełnia wcześniejszą ofertę, obejmującą 40-amperowy model MBQ40T120QFS o napięciu 1200 V, wprowadzony na rynek w 2020 roku oraz wprowadzony na rynek 2 lata później, 75-amperowy MBQ75T65PEH o napięciu znamionowym 650 V.

MBQA75T120RFS jest zamykany w obudowie TO-247PLUS z szerszym obszarem kontaktu radiatora, zapewniającej skuteczniejsze odprowadzanie ciepła w porównaniu z tranzystorami w obudowach TO-247. Charakteryzuje się też mniejszymi o ponad 14% stratami na przewodzenie. Cechy te zapewniają jego stabilną pracę również w warunkach przeciążenia, zwiększając niezawodność systemu. Dodatkowe zalety to możliwość zastąpienia dwóch 40-amperowych tranzystorów IGBT pojedynczym elementem oraz wbudowana szybka dioda zabezpieczająca, pozwalająca zmniejszyć straty przy pracy impulsowej i temperaturę wewnętrznej struktury.