600-woltowe tranzystory MOS o rezystancji kanału 0,19Ω
W ofercie firmy Vishay Siliconix pojawiły się cztery nowe tranzystory MOSFET produkowane w technologii Super Junction FET: SiHP22N60S (TO-220), SiHF22N60S (TO-220 FULLPAK), SiHG22N60S (TO-247) i SiHB22N60S (TO-263).
Charakteryzują się one napięciem przebicia 600V i rezystancją kanału RDS(on) równą 0,19Ω. Pracują z napięciem sterowania bramki do 10V. Są to tranzystory dużej mocy, mogące przewodzić prąd ciągły o natężeniu do 22A i impulsowy do 65A.
W stosunku do poprzednich serii 600-woltowych tranzystorów MOS charakteryzują się łagodniejszym przebiegiem charakterystyki regeneracyjnej. Oprócz małej rezystancji RDS(on), drugim czynnikiem decydującym o małych stratach przy pracy impulsowej jest mała pojemność bramki, wynosząca dla tranzystorów Super Junction FET jedynie 98nC.
Pozwala to na zastosowania w wysokoprądowych aplikacjach impulsowych, takich jak obwody korekcji współczynnika mocy (PFC) czy modulatory PWM.
