N-kanałowy MOSFET 20V/2A w obudowie 1,0 x 1,0 x 0,4mm
Najmniejszy na rynku n-kanałowy tranzystor MOSFET, FDZ372NZ jest zamykany w obudowie WL-CSP o powierzchni 1,0 x 1,0mm i grubości 0,4mm. Został wykonany w procesie technologicznym PowerTrench zapewniającym małą rezystancję kanału.
Charakteryzuje się napięciem znamionowym 20V i dopuszczalnym prądem drenu równym 2,0A. Jest zabezpieczony przed wyadowaniami ESD do 2200V (HBM). Może pracować z napięciem bramki VGS już od 1,5V. Maksymalne wartości rezystancji RDS(on) wynoszą od 50mΩ przy VGS=4,5V i ID=2,0A do 93mΩ przy VGS=1,5V i ID=1,0A.
Drugi z nowych, miniaturowych tranzystorów N-MOS, FDZ192NZ charakteryzuje się większymi wymiarami obudowy (1,5 x 1,0 x 0,65mm) i nieco mniejszą rezystancją RDS(on), wynoszącą od 39mΩ przy VGS=4,5V i ID=2,0A do 55mΩ przy VGS=1,5V i ID=1,0A. Ceny hurtowe FDZ372NZ i FDZ192NZ wynoszą odpowiednio 0,80 USD i 0,90 USD przy zamówieniach 1000 sztuk.
