Podwójny wysokoprądowy MOSFET do 40-amperowych przetwornic DC-DC

Opracowany przez Vishay układ SiC779 zawiera dwa n-kanałowe tranzystory MOSFET i sterownik bramek w obudowie PowerPAK MLP o powierzchni 6 x 6mm. Jest to układ zgodny ze specyfikacją DrMOS (Intel), przeznaczony do zastosowań w przetwornicach DC-DC zasilających mikroprocesory i procesory graficzne, w których pozwala zastąpić dyskretne tranzystory MOSFET high-side i low-side.

Współpracuje z wejściowym kontrolerem PWM. Zapewnia maksymalny prąd ciągły równy 40A przy sprawności przekraczającej 93%. Zakres napięć wejściowych wynosi od 3 do 16V.

Wewnętrzne tranzystory zostały zoptymalizowane do pracy z napięciem wyjściowym 0,8…2,0V, aczkolwiek SiC779 zapewnia też dużą sprawność przy zasilaniu 5-woltowych układów ASIC. Zawiera zabezpieczenie podnapięciowe, zabezpieczenie shoot through, wejście Enable i wyjście sygnalizujące przegrzanie.