Superstabilne źródła napięciowe w hermetycznych obudowach 5 x 5 mm

Naprężenia mechaniczne wewnętrznej struktury powodują w przypadku scalonych źródeł referencyjnych dryft ich napięcia wyjściowego. Wpływa na to absorpcja wilgoci przez obudowę i różnice w rozszerzalności termicznej masy plastycznej i wewnętrznej struktury krzemowej. Typowe źródła zamykane w obudowach plastikowych wykazują błąd sięgający nawet 150 ppm przy 25-procentowej zmianie RH.

Różnice w rozszerzalności termicznej dają o sobie znać także w przypadku powrotu temperatury do wyjściowej wartości +25°C po nagrzewaniu. Źródłem błędów jest też długoterminowe osiadanie plastikowej masy obudowy.

Powyższe czynniki w dużym stopniu zminimalizowano w nowych źródłach referencyjnych firmy Linear Technology zamykanych w hermetycznych obudowach ceramicznych LS8. Są to miniaturowe elementy o powierzchni 5 x 5 mm, produkowane obecnie w trzech wersjach band-gap o napięciu 2,5 V (LTC6655-2.5, LTC6652-2.5, LT6654LS8-2.5) i w wersji z diodą Zenera o napięciu 5 V (LT1236LS8-5). Ich dryft temperaturowy wynosi już od 2 ppm/°C, a wyjściowe napięcie szumów od 625nVP-P w przypadku LTC6655-2.5. Dopuszczalny zakres temperatur pracy rozciąga się od -40 do +125°C.

Parametry LTC6655-2.5:

• dryft: 2 ppm/°C (A Grade), 5 ppm/°C (B Grade);
• wyjściowe napięcie szumu: <625 nVP-P;
• histereza termiczna: 5 ppm (0...+70°C);
• stabilność długoterminowa: 20 ppm/√kHr.

Parametry LTC6652-2.5:

• dryft: 5 ppm/°C (A Grade), 10 ppm/°C (B Grade);
• prąd zasilania: 350 µA;
• histereza termiczna: 8 ppm (0...+70°C);
• stabilność długoterminowa: 20 ppm/√kHr.

Parametry LT6654LS8-2.5:

• dryft: 10 ppm/°C (A Grade), 20 ppm/°C (B Grade);
• zasilanie: od napięcia dropout 100 mV do 36 V;
• histereza termiczna: 3 ppm (0...+70°C);
• stabilność długoterminowa: 15 ppm/√kHr.

Parametry LT1236LS8-5:

• dryft: 5 ppm/°C (A Grade), 10 ppm/°C (B Grade);
• szum wyjściowy: 0,6 ppmp-p (0,1...10 Hz);
• histereza termiczna: 8 ppm (0...+70°C);
• stabilność długoterminowa: 20 ppm/√kHr.