3-amperowe diody Schottky'ego TMBS w obudowach SMF o grubości <1 mm
Vishay Intertechnology, Inc.
Do oferty diod Schottky’ego TMBS (Trench MOS Barrier Schottky) firmy Vishay wchodzą nowe diody o dopuszczalnym prądzie przewodzenia zwiększonym do 3 A, produkowane w niskoprofilowych obudowach SMF (DO-219AB) o powierzchni 3,7 x 1,8 mm i grubości 0,98 mm, mniejszych odpowiednio o 49% i 46% od wcześniejszych 3-amperowych odpowiedników w obudowach SMA.
Są one dostępne w 15 wersjach na zakres napięć przebicia od 45 do 150 V. Charakteryzują się prądem znamionowym wynoszącym w zależności od modelu 1, 2 lub 3 A oraz napięciem przewodzenia wynoszącym odpowiednio 0,36 V, 0,4 V i 0,43 V. Diody te uzyskały kwalifikację AEC-Q101, pozwalającą na zastosowania w motoryzacji. Mogą pracować w maksymalnej temperaturze otoczenia +125°C.
|
IF(AV) |
VRRM |
IFSM |
VF @ IF, TJ |
TJ maks. |
|||
|
VF (V) |
IF (A) |
TA (°C) |
|||||
|
V1FL45 |
1,0 |
45 |
30 |
0,36 |
1 |
125 |
150 |
|
V1F6 |
1,0 |
60 |
30 |
0,45 |
1 |
125 |
150 |
|
V1FM10 |
1,0 |
100 |
30 |
0,59 |
1 |
125 |
175 |
|
V1FM12 |
1,0 |
120 |
30 |
0,61 |
1 |
125 |
175 |
|
V1FM15 |
1,0 |
150 |
30 |
0,64 |
1 |
125 |
175 |
|
V2FL45 |
2,0 |
45 |
40 |
0,40 |
2 |
125 |
150 |
|
V2F6 |
2,0 |
60 |
50 |
0,45 |
2 |
125 |
150 |
|
V2FM10 |
2,0 |
100 |
40 |
0,62 |
2 |
125 |
175 |
|
V2FM12 |
2,0 |
120 |
40 |
0,65 |
2 |
125 |
175 |
|
V2FM15 |
2,0 |
150 |
40 |
0,69 |
2 |
125 |
175 |
|
V3FL45 |
3,0 |
45 |
50 |
0,43 |
3 |
125 |
150 |
|
V3F6 |
3,0 |
60 |
60 |
0,49 |
3 |
125 |
150 |
|
V3FM10 |
3,0 |
100 |
55 |
0,62 |
3 |
125 |
175 |
|
V3FM12 |
3,0 |
120 |
60 |
0,64 |
3 |
125 |
175 |
|
V3FM15 |
3,0 |
150 |
40 |
0,66 |
3 |
125 |
175 |
