Tranzystory IGBT 1200 V/75 A w nowych obudowach TO-247PLUS

Infineon Technologies powiększa ofertę tranzystorów IGBT o napięciu przebicia 1200 V o dwa nowe modele IKQ75N120CT2 i IKQ75N120CH3 o dopuszczalnym prądzie drenu 75 A, zamykane w obudowach TO-247PLUS. Oba są wyposażone w szybką wewnętrzną diodę regeneracyjną. Nowe 3- i 4-wyprowadzeniowe obudowy TO-247PLUS zostały zaprojektowane w odpowiedzi na stale rosnący popyt na tranzystory dyskretne o dużej gęstości mocy i dużej sprawności, znajdujące zastosowanie głównie w układach napędowych, instalacjach fotowoltaicznych, zasilaczach UPS i systemach ładowania akumulatorów.

W porównaniu ze standardową obudową TO-247-3, nowa obudowa TO-247PLUS pozwala na pracę tranzystora z nawet dwukrotnie większym dopuszczalnym prądem drenu. Dzięki usunięciu otworu do montażu śruby ze standardowej obudowy TO-247, obudowa \"PLUS\" może zaoferować większą powierzchnię ramki pozwalającą na montaż większych struktur półprzewodnikowych.

Pozwoliło to zrealizować pierwsze 1200-woltowe tranzystory IGBT o dopuszczalnym prądzie drenu 75 A z wbudowaną szybką diodą regeneracyjną. Dzięki większej ramce zapewniają one mniejszą rezystancję termiczną i skuteczniejsze odprowadzanie ciepła.

Dla projektantów poszukujących tranzystorów o małych stratach na przełączanie opracowano 4-wyprowadzeniowy wariant obudowy TO-247PLUS z dodatkowym wyprowadzeniem emitera.

Pozwala to zapewnić bardzo małą indukcyjność pętli sterującej bramka-emiter i zredukować całkowitą energię strat na przełączanie o ponad 20%.