Seria GaNEXUS obejmuje tranzystory polowe (FET) o podłożu wykonanym z azotku galu (GaN), przeznaczone do zastosowań m.in. w układach zasilania 48 V, falownikach lub systemach automatyki przemysłowej. Niemniej kluczową aplikacją są również centra danych wspomagane przez sztuczną inteligencję (AI). Podzespoły, których producentem jest firma onsemi charakteryzuje napięcie "dren-źródło" VDS z zakresu: 40-650 V (w zależności od wariantu). Gwarantowana jest wysoka częstotliwość przełączania, przy równoczesnym ograniczeniu strat mocy i zwiększeniu sprawności energetycznej wielu rozwiązań. Wymienione cechy stanowią o przewadze tranzystorów.
GaNEXUS nad krzemowymi odpowiednikami. Podzespoły serii zamknięto w obudowach o dużej przewodności cieplnej. Ofertę stanowią obudowy typu TOLL chłodzone od strony spodniej, TOLT chłodzone od strony górnej i obudowy o wymiarach: 3,3×3,3 mm lub 5×6 mm z chłodzeniem obustronnym, co ułatwia proces projektowania oraz dobór alternatywnych źródeł dostaw komponentów.
Więcej na: www.onsemi.com
