Wysokoprądowy MOSFET FDMS86101

Wysokoprądowy MOSFET 49A/100V w obudowie 5 x 6 x 1mm

Kolejny wysokoprądowy tranzystor MOSFET firmy Fairchild Semiconductor ? FDMS86101 ? charakteryzuje się zmniejszoną do 8mΩ rezystancją R_DS(ON) przy napięciu znamionowym 100V. Jest to tranzystor N-kanałowy wyprodukowany w procesie PowerTrench. Ze względu na bardzo mały współczynnik FOM jest polecany do pracy w układach impulsowych, m.in. w przetwornicach DC-DC.

Pomimo małych wymiarów obudowy (MLP Power56 ? 5 x 6 x 1mm) może przewodzić prąd ciągły o maksymalnym natężeniu 49A i prąd impulsowy o natężeniu do 100A. Wbudowana w strukturę tranzystora dioda regeneracyjna zmniejsza poziom generowanej emisji elektromagnetycznej. FDMS86101 pracuje w zakresie temperatur złącza od -55ºC do +150ºC. Cena hurtowa wynosi 1,55 USD przy zamówieniach 1000 sztuk.