Dwukanałowe izolowane sterowniki tranzystorów MOSFET o czasie propagacji 37 ns
Infineon Technologies AG
Dwukanałowe sterowniki tranzystorów MOSFET serii 2EDF i 2EDS zawierają barierę izolacyjną między stopniem wejściowym i wyjściowym oraz między obiema sekcjami wyjściowymi. Wyróżniają się stabilnymi parametrami czasowymi w funkcji temperatury, w tym krótkim czasem propagacji na poziomie 37 ns i różnicą czasów propagacji między kanałami wynoszącą 3 ns.
Redukuje to straty w stopniach mocy z izolacją galwaniczną oraz w topologiach wielofazowych. Ważną zaletą tych układów jest też odporność na przepięcia wejściowe o czasie narastania do co najmniej 150 V/µs. 2EDF i 2EDS stanowią rozszerzenie sterowników rodziny EiceDRIVER, adresowanych do wysokiej klasy układów konwersji mocy, między innymi korzystających z tranzystorów MOSFET rodziny CoolMOS i OptiMOS.
W zależności do wersji zapewniają wydajność prądową od 1 A/2 A (source/sink) do 4 A/8 A. Są produkowane w trzech wariantach obudów: NB-DSO16, WB-DSO16 i najmniejszej LGA13 o powierzchni 5 x 5 mm.
Oznaczenie |
Obudowa |
Prąd wyjściowy source/sink |
Zabezpieczenie podnapięciowe |
Izolacja wejście-wyjście |
Kontrola czasu martwego |
|||
Klasa izolacji |
Napięcie znamionowe |
Test udarowy |
Certyfikat bezpieczeństwa |
|||||
2EDF7175F |
NB-DSO16 10 x 6 mm |
1 A/2 A |
4 V |
funkcjonalna |
VIO=1,5 kVDC |
- |
- |
nie |
2EDF7275F |
4 A/8 A |
|||||||
2EDS8165H |
WB-DSO16 10,3 x 10,3 mm |
1 A/2 A |
8 V |
wzmocniona |
VIOTM=8 kV peak (VDE0884-10) |
VIOSM = 10 kV peak (IEC60065) |
VDE0884-10 UL1577 IEC60950 IEC62368 CQC |
|
2EDS8265H |
4 A/8 A |
|||||||
2EDF7235K |
LGA13 5,0 x 5,0 mm |
4 V |
funkcjonalna |
VIO=1,5 kVDC |
- |
- |
tak |
|
2EDF7275K |
nie |