Dwukanałowe izolowane sterowniki tranzystorów MOSFET o czasie propagacji 37 ns

Infineon Technologies AG
Produkt firmy:
Infineon Technologies AG

Dwukanałowe sterowniki tranzystorów MOSFET serii 2EDF i 2EDS zawierają barierę izolacyjną między stopniem wejściowym i wyjściowym oraz między obiema sekcjami wyjściowymi. Wyróżniają się stabilnymi parametrami czasowymi w funkcji temperatury, w tym krótkim czasem propagacji na poziomie 37 ns i różnicą czasów propagacji między kanałami wynoszącą 3 ns.

Redukuje to straty w stopniach mocy z izolacją galwaniczną oraz w topologiach wielofazowych. Ważną zaletą tych układów jest też odporność na przepięcia wejściowe o czasie narastania do co najmniej 150 V/µs. 2EDF i 2EDS stanowią rozszerzenie sterowników rodziny EiceDRIVER, adresowanych do wysokiej klasy układów konwersji mocy, między innymi korzystających z tranzystorów MOSFET rodziny CoolMOS i OptiMOS.

W zależności do wersji zapewniają wydajność prądową od 1 A/2 A (source/sink) do 4 A/8 A. Są produkowane w trzech wariantach obudów: NB-DSO16, WB-DSO16 i najmniejszej LGA13 o powierzchni 5 x 5 mm.

Oznaczenie

Obudowa

Prąd wyjściowy source/sink

Zabezpieczenie podnapięciowe

Izolacja wejście-wyjście

Kontrola czasu martwego

Klasa izolacji

Napięcie znamionowe

Test udarowy

Certyfikat bezpieczeństwa

2EDF7175F

NB-DSO16 10 x 6 mm

1 A/2 A

4 V

funkcjonalna

VIO=1,5 kVDC

-

-

nie

2EDF7275F

4 A/8 A

2EDS8165H

WB-DSO16 10,3 x 10,3 mm

1 A/2 A

8 V

wzmocniona

VIOTM=8 kV peak (VDE0884-10)
VISO=5,7 kV rms (UL1577)

VIOSM = 10 kV peak (IEC60065)

VDE0884-10 UL1577 IEC60950 IEC62368 CQC

2EDS8265H

4 A/8 A

2EDF7235K

LGA13 5,0 x 5,0 mm

4 V

funkcjonalna

VIO=1,5 kVDC

-

-

tak

2EDF7275K

nie