Nowy 650-woltowy tranzystor GaN MOSFET 650 V/45 A
Firma Alpha and Omega Semiconductor dodaje do oferty tranzystorów MOSFET nowy model AONV070V65G1 zrealizowany na podłożu z azotku galu, charakteryzujący się napięciem przebicia 650 V. Jest to pierwszy tranzystor nowej rodziny αGAN, mogący znaleźć zastosowanie m.in. w zasilaczach serwerowych i telekomunikacyjnych o dużej sprawności energetycznej i dużej gęstości mocy, pozwalając ograniczyć ich wymiary i wymogi odnośnie chłodzenia.
W porównaniu z typowymi tranzystorami krzemowymi, model AONV070V65G1 wyprodukowany na podłożu GaN-on-Si pozwala zmniejszyć o ponad połowę powierzchnię aktywną, 10-krotnie zmniejszyć ładunek bramki oraz wyeliminować ładunek Qrr, typowy dla krzemowych tranzystorów MOSFET.
Równocześnie, nadaje się do współpracy ze sterownikami bramek projektowanymi do tranzystorów krzemowych. Jest zamykany w obudowie DFN o powierzchni 8 x 8 mm z wyprowadzeniem radiatora, zapewniającym skuteczne odprowadzanie ciepła.
Ważniejsze dane techniczne:
- VDS @ TJ maks.: 650 V,
- IDM: 45 A,
- RDS(ON): 70 mΩ,
- Qg, typ.: 6,9 nC,
- Qrr: 0 nC,
- CEoss @ 400 V: 6 µJ.
