Firma Alpha and Omega Semiconductor dodaje do oferty tranzystorów MOSFET nowy model AONV070V65G1 zrealizowany na podłożu z azotku galu, charakteryzujący się napięciem przebicia 650 V. Jest to pierwszy tranzystor nowej rodziny αGAN, mogący znaleźć zastosowanie m.in. w zasilaczach serwerowych i telekomunikacyjnych o dużej sprawności energetycznej i dużej gęstości mocy, pozwalając ograniczyć ich wymiary i wymogi odnośnie chłodzenia.
W porównaniu z typowymi tranzystorami krzemowymi, model AONV070V65G1 wyprodukowany na podłożu GaN-on-Si pozwala zmniejszyć o ponad połowę powierzchnię aktywną, 10-krotnie zmniejszyć ładunek bramki oraz wyeliminować ładunek Qrr, typowy dla krzemowych tranzystorów MOSFET.
Równocześnie, nadaje się do współpracy ze sterownikami bramek projektowanymi do tranzystorów krzemowych. Jest zamykany w obudowie DFN o powierzchni 8 x 8 mm z wyprowadzeniem radiatora, zapewniającym skuteczne odprowadzanie ciepła.
Ważniejsze dane techniczne:
Więcej na: www.aosmd.com