stdClass Object
(
    [id] => 12677
    [categories_id] => 2756
    [categories_type_id] => 1511
    [categories_article_type_id] => 2686
    [catalog_firm_id] => 508
    [users_last_edit_id] => 1388
    [assets_id] => 
    [ulubionykiosk_id] => 0
    [name] => 40-woltowe tranzystory MOSFET o małych stratach w szerokim zakresie obciążeń
    [alias] => 40-woltowe-tranzystory-mosfet-o-malych-stratach-w-szerokim-zakresie-obciazen
    [introtext] => 

Infineon Technologies prezentuje nową rodzinę 40-woltowych tranzystorów MOSFET OptiMOS 6 zaprojektowanych do zastosowań w zasilaczach impulsowych. W porównaniu z tranzystorami wcześniejszej generacji zapewniają one mniejszą o 30% rezystancję RDS(on) oraz mniejsze współczynniki FOM (Qgd x RDS(on) mniejszy o 46%, Qg x RDS(on) mniejszy o 29%). Powoduje to, że charakteryzują się małymi stratami zarówno w zakresie dużych, jak i małych mocy wyjściowych zasilacza.

[fulltext] =>

Krzywe sprawności energetycznej pokazują wyraźnie, że tranzystory OptiMOS 6 wykazują znacznie mniejsze straty w zakresie małych mocy wyjściowych od tranzystorów poprzedniej generacji. Pozostają one na niskim poziomie również przy dużych obciążeniach pomimo, że dominujące są w tym zakresie straty na przewodzenie, uzależnione od RDS(on).

Zapewnia to mniejsze wymogi odnośnie układu chłodzenia oraz ułatwia łączenie równoległe tranzystorów, co w konsekwencji oznacza niższe koszty realizacji zasilacza. Tranzystory OptiMOS 6 są produkowane w 8 wariantach zamykanych dwóch typach obudów: SuperSO8 (6 x 5 mm, RDS(on) od 0,7 do 5,9 mΩ) oraz PQFN (3,3 x 3,3 mm, RDS(on) od 1,8 do 6,3 mΩ).

[price] => 0.00 [price_old] => [meta_title] => [meta_description] => [meta_data] => [published] => 1 [date_modified] => 2019-05-15 06:43:15 [date_created] => 2019-05-15 06:30:21 [date_publish] => 2019-05-15 05:45:21 [date_publish_down] => 0000-00-00 00:00:00 [hits] => 0 [checked_out] => 0 [checked_out_time] => 0000-00-00 00:00:00 [redakcja] => 1 [ceneo_phrase] => [product_name] => [www] => www.infineon.com [firm_name] => Infineon Technologies AG [firmId] => 508 [firmType] => 1975 [firmCategory] => 2457 [firmAlias] => Infineon_Technologies_AG [firmWww] => http://www.infineon.com [firmPaid] => 0 [categoryTitle] => Podzespoły półprzewodnikowe [articleTypeId] => 2686 [articleTypeTitle] => Komponenty [linkCategory] => /produkty/podzespoly-elektroniczne/podzespoly-polprzewodnikowe [articleTypeListLink] => /komponenty/produkty )

40-woltowe tranzystory MOSFET o małych stratach w szerokim zakresie obciążeń

Produkt firmy:

Infineon Technologies AG

Infineon Technologies prezentuje nową rodzinę 40-woltowych tranzystorów MOSFET OptiMOS 6 zaprojektowanych do zastosowań w zasilaczach impulsowych. W porównaniu z tranzystorami wcześniejszej generacji zapewniają one mniejszą o 30% rezystancję RDS(on) oraz mniejsze współczynniki FOM (Qgd x RDS(on) mniejszy o 46%, Qg x RDS(on) mniejszy o 29%). Powoduje to, że charakteryzują się małymi stratami zarówno w zakresie dużych, jak i małych mocy wyjściowych zasilacza.

Krzywe sprawności energetycznej pokazują wyraźnie, że tranzystory OptiMOS 6 wykazują znacznie mniejsze straty w zakresie małych mocy wyjściowych od tranzystorów poprzedniej generacji. Pozostają one na niskim poziomie również przy dużych obciążeniach pomimo, że dominujące są w tym zakresie straty na przewodzenie, uzależnione od RDS(on).

Zapewnia to mniejsze wymogi odnośnie układu chłodzenia oraz ułatwia łączenie równoległe tranzystorów, co w konsekwencji oznacza niższe koszty realizacji zasilacza. Tranzystory OptiMOS 6 są produkowane w 8 wariantach zamykanych dwóch typach obudów: SuperSO8 (6 x 5 mm, RDS(on) od 0,7 do 5,9 mΩ) oraz PQFN (3,3 x 3,3 mm, RDS(on) od 1,8 do 6,3 mΩ).

Zapytanie ofertowe
Dotyczy produktu
40-woltowe tranzystory MOSFET o małych stratach w szerokim zakresie obciążeń
Firma: Infineon Technologies AG
Kategoria: Podzespoły półprzewodnikowe
Treść zapytania *
Imię i nazwisko *
Nazwa firmy
Adres firmy
Kod pocztowy
Miasto
E-mail *
Telefon
Usługa przesyłania zapytań ofertowych jest bezpłatna i nie rodzi żadnego zobowiązania po stronie zadającego pytanie. Administratorem danych osobowych jest AVT-Korporacja sp. z o.o. z siedzibą: ul. Leszczynowa 11, 03-197 Warszawa. Celem przetwarzania danych jest realizacja usługi i jest ograniczone czasowo do jej wykonania. Podstawa prawna: art. 5, 6, 12, 13 Ogólnego rozporządzenia o ochronie danych osobowych (RODO).