40-woltowe tranzystory MOSFET o małych stratach w szerokim zakresie obciążeń

Infineon Technologies prezentuje nową rodzinę 40-woltowych tranzystorów MOSFET OptiMOS 6 zaprojektowanych do zastosowań w zasilaczach impulsowych. W porównaniu z tranzystorami wcześniejszej generacji zapewniają one mniejszą o 30% rezystancję R_DS(on) oraz mniejsze współczynniki FOM (Q_gd x R_DS(on) mniejszy o 46%, Q_g x R_DS(on) mniejszy o 29%). Powoduje to, że charakteryzują się małymi stratami zarówno w zakresie dużych, jak i małych mocy wyjściowych zasilacza.

Krzywe sprawności energetycznej pokazują wyraźnie, że tranzystory OptiMOS 6 wykazują znacznie mniejsze straty w zakresie małych mocy wyjściowych od tranzystorów poprzedniej generacji. Pozostają one na niskim poziomie również przy dużych obciążeniach pomimo, że dominujące są w tym zakresie straty na przewodzenie, uzależnione od R_DS(on).

Zapewnia to mniejsze wymogi odnośnie układu chłodzenia oraz ułatwia łączenie równoległe tranzystorów, co w konsekwencji oznacza niższe koszty realizacji zasilacza. Tranzystory OptiMOS 6 są produkowane w 8 wariantach zamykanych dwóch typach obudów: SuperSO8 (6 x 5 mm, R_DS(on) od 0,7 do 5,9 mΩ) oraz PQFN (3,3 x 3,3 mm, R_DS(on) od 1,8 do 6,3 mΩ).