Seria izolowanych czujników napięcia i prądu o małym dryfcie temperaturowym

Silicon Labs wprowadza na rynek nową rodzinę izolowanych wzmacniaczy, czujników i modulatorów delta-sigma do precyzyjnego pomiaru prądu i napięcia, zapewniających bardzo mały dryft w funkcji temperatury. Układy te bazują na opracowanej przez Silicon Labs technice izolacyjnej 3. generacji oraz oferują różne opcje wyjść i obudów, pozwalające zredukować listę podzespołów i przestrzeń zajmowaną na płytce drukowanej. Znajdują zastosowanie w układach zarządzania mocą, ładowarkach, przetwornicach DC-DC i falownikach.

Precyzyjny pomiar prądu i napięcia jest kluczowy dla zapewnienia poprawnej pracy układów zarządzania mocą. Aby osiągnąć maksymalną sprawność energetyczną oraz szybką reakcję na błędy i zmiany prądu obciążenia, kontroler systemowy wymaga bieżących informacji dotyczących wartości napięć i prądów na wysokonapięciowych szynach zasilających.

Technika izolacyjna 3. generacji, opracowana przez firmę Silicon Labs zapewnia bezpieczną pracę w szerokim zakresie temperatur przy napięciu roboczym do 1414 V, co wykracza poza wymogi obowiązujących norm. Silicon Labs może się obecnie pochwalić najszerszą na rynku ofertą czujników napięcia i prądu.

Rodzina Si89xx obejmuje 4 kategorie układów:

• izolowane wzmacniacze analogowe Si892x do pomiarów bocznikowych prądu,
• izolowane wzmacniacze Si8931/2 do pomiaru napięcia,
• izolowane modulatory delta-sigma Si8935/6/7 do pomiaru napięcia,
• izolowane modulatory delta-sigma Si8941/6/7 do pomiarów bocznikowych prądu.

Układy rodziny Si89xx zapewniają 3-krotnie większą odporność (do co najmniej 75 kV/ms) na szybkie, sumacyjne impulsy prądowe od układów konkurencyjnych, co daje możliwość prowadzenia precyzyjnych pomiarów również w wymagających środowiskach przemysłowych. Zapewniają sygnalizację fail-safe do zewnętrznego kontrolera host.

Charakteryzują się błędem offsetu wynoszącym typ. ±40 mV, błędem wzmocnienia ±0,1%, dryftem offsetu ±0,15 µV/°C i dryftem wzmocnienia -6 ppm/°C. Współczynnik SNR jest na poziomie 90 dB. Układy rodziny Si89xx występują w wersjach z wyjściem asymetrycznym, różnicowym i DSM oraz z wejściem o zakresach napięć ±62,5 mV, ±250 mV i 2,5 V.

Są zamykane w obudowach SOIC-8 wide-body i narrow-body zapewniających izolację do odpowiednio 5 kV rms i 2,5 kV rms oraz drogę upływu i odstęp izolacyjny wynoszące 9 mm.