Tranzystor MOSFET 380 A w obudowie LFPAK56 o bardzo małej rezystancji R_DS(on)

W najnowszych tranzystorach MOSFET rodziny NextPower S3 firmy Nexperia, produkowanych w procesie Trench 11, uzyskano mniejszą rezystancję R_DS(on) od wcześniejszych wersji, przy niezmienionych pozostałych parametrach, takich jak maksymalny prąd drenu, obszar bezpiecznej pracy czy ładunek bramki. Bardzo mała rezystancja R_DS(on) tranzystora jest niezbędna m.in. w układach napędowych, prostownikach synchronicznych czy układach zabezpieczających akumulatorów, obniżając straty I²R i tym samym zwiększając sprawność energetyczną.

Jednak niektóre z tranzystorów konkurencyjnych o zbliżonej rezystancji R_DS(on) charakteryzują się jednocześnie zawężonym obszarem SOA, decydującym o bezpiecznej pracy tranzystora i obniżonym dopuszczalnym prądem drenu, wynikającym z mniejszych wymiarów komórek. W najnowszym tranzystorze MOSFET PSMNR58-30YLH firmy Nexperia udało się równocześnie obniżyć rezystancję R_DS(on) do wartości poniżej 0,67 mΩ oraz zwiększyć dopuszczalny prąd drenu do 380 A.

Jest to szczególnie ważne w układach napędowych, w których utknięcie silnika może spowodować przepływ bardzo dużych impulsów prądu udarowego przez krótki okres czasu. Niektóre z firm konkurencyjnych określają jedynie obliczone teoretycznie wartości prądu ID maks., podczas gdy Nexperia zademonstrowała możliwość przepływu przez tranzystor prądu ciągłego o natężeniu 380 A, a testy przebicia lawinowego przy prądzie 190 A są przeprowadzane dla 100% tranzystorów na etapie produkcji.

PSMNR58-30YLH jest zamykany w 4-wyprowadzeniowej obudowie LFPAK56 (Power-SO8) o powierzchni 30 mm² i rozstawie wyprowadzeń 1,27 mm. Zarówno w tej obudowie, jak i w obudowie LFPAK33 (Power33) zastosowano unikalny, miedziany klips absorbujący stres termiczny, dodatkowo zwiększający niezawodność tranzystora.