1200-woltowe diody Schottky'ego SiC do układów zasilania

Mitsubishi Electric informuje o nowej serii 1200-woltowych diod Schottky'ego, zrealizowanych na podłożu SiC (SiC-SBD), przeznaczonych do zastosowań w układach zasilania. Pozwalają one obniżyć o ponad 20% straty konwersji w porównaniu z odpowiednikami krzemowymi oraz zmniejszyć objętość montażową. Zostały wyprodukowane w technologii junction-barrier Schottky (JBS), zapewniającej długi czas bezawaryjnej pracy. Występują w wersjach o parametrach znamionowych 1200 V/10 A i 1200 V/20 A.

Są zamykane w dwóch typach obudów: standardowej TO-247 oraz TO-247-2 o zwiększonym odstępie izolacyjnym. Występują też w wersji z kwalifikacją AEC-Q101 (ozn. BD20120SJ). Pierwsze wersje próbne mają się pojawić na rynku w czerwcu b.r.