Samochodowe tranzystory MOSFET w miniaturowych obudowach o dużej niezawodności montażu

Szybko rosnąca w ostatnich latach liczba samochodowych systemów bezpieczeństwa i komfortu, takich jak np. kamery ADAS, zwiększyła zapotrzebowanie na podzespoły produkowane w miniaturowych obudowach. Coraz większą uwagę projektantów przyciągają tranzystory MOSFET produkowane w obudowach z elektrodami umieszczonymi na dolnej powierzchni, pozwalające ograniczyć do minimum wymaganą powierzchnię montażową, a równocześnie zapewnić duży dopuszczalny prąd drenu.

Jednak w zastosowaniach motoryzacyjnych podczas montażu wykonywana jest kontrola optyczna połączeń, trudna do przeprowadzenia w przypadku tego typu obudów. Ten problem pozwalają rozwiązać nowo opracowane przez firmę Rohm obudowy DFN1616 Wettable Flank z podcięciem o wysokości 130 µm na dolnych krawędziach. Zapewniają one dużą niezawodność montażu i odporność na narażenia mechaniczne, a równocześnie ułatwiają prowadzenie optycznej inspekcji połączeń.

Obecnie do oferty trafiły dwa pierwsze tranzystory serii RV4xxx z kwalifikacją AEC-Q101, produkowane w tego typu obudowach o powierzchni montażowej wynoszącej zaledwie 1,6 x 1,6 mm, mniejszej o ponad połowę od tradycyjnych wersji. RV4E031RP i RV4C020ZP to tranzystory p-kanałowe o napięciu V_DSS wynoszącym odpowiednio 30 V i 20 V oraz o dopuszczalnym prądzie przewodzenia 2,1 A i 2,0 A. Pracują one z napięciem sterowania bramki 4 V i 2,5 V, którym odpowiada rezystancja R_DS(on) odpowiednio 122 mΩ i 240 mΩ. Ich zakres dopuszczalnych temperatur pracy złącza rozciąga się od -55 do +150°C.