stdClass Object
(
    [id] => 13470
    [categories_id] => 2756
    [categories_type_id] => 1511
    [categories_article_type_id] => 2686
    [catalog_firm_id] => 1594
    [users_last_edit_id] => 3230
    [assets_id] => 
    [ulubionykiosk_id] => 0
    [name] => Pierwsze 100-woltowe samochodowe tranzystory n-MOS w obudowach SOP Advance (WF)
    [alias] => pierwsze-100-woltowe-samochodowe-tranzystory-n-mos-w-obudowach-sop-advance-wf
    [introtext] => 

Do oferty samochodowych tranzystorów MOSFET firmy Toshiba, przeznaczonych do zastosowań samochodowych, wchodzą dwa nowe tranzystory n-kanałowe: XPH4R10ANB i XPH6R30ANB o dopuszczalnym ciągłym i impulsowym prądzie drenu wynoszącym odpowiednio 70 A/210 A i 45 A/135 A. Są to pierwsze tego typu tranzystory w ofercie Toshiba, zamykane w obudowach SOP Advance (WF) o wymiarach 6,0 x 5,0 x 0,95 mm, umożliwiających automatyczną inspekcję optyczną połączeń.

[fulltext] =>

Są polecane do zastosowań w 48-woltowych instalacjach samochodowych, m.in. w konwerterach DC-DC boost generatorów ISG i reflektorów LED oraz w układzie napędowym i przełącznikach zasilania. Charakteryzują się napięciem VDSS równym 100 V, maksymalną temperaturą pracy złącza +175°C i bardzo małą rezystancją RDS(on), przykładowo wynoszącą zaledwie 4,1 mΩ dla XPH4R10ANB. Uzyskały kwalifikację AEC-Q101.

[price] => 0.00 [price_old] => [meta_title] => [meta_description] => [meta_data] => [published] => 1 [date_modified] => 2020-02-25 15:06:41 [date_created] => 2020-02-25 15:03:25 [date_publish] => 2020-02-26 06:55:25 [date_publish_down] => 0000-00-00 00:00:00 [hits] => 0 [checked_out] => 0 [checked_out_time] => 0000-00-00 00:00:00 [redakcja] => 1 [ceneo_phrase] => [product_name] => [www] => www.toshiba.semicon-storage.com [firm_name] => Toshiba Corporation [firmId] => 1594 [firmType] => 1975 [firmCategory] => 2457 [firmAlias] => toshiba-corporation [firmWww] => www.toshiba.pl [firmPaid] => 0 [categoryTitle] => Podzespoły półprzewodnikowe [articleTypeId] => 2686 [articleTypeTitle] => Komponenty [linkCategory] => /produkty/podzespoly-elektroniczne/podzespoly-polprzewodnikowe [articleTypeListLink] => /komponenty/produkty )

Pierwsze 100-woltowe samochodowe tranzystory n-MOS w obudowach SOP Advance (WF)

Produkt firmy:

Toshiba Corporation

Do oferty samochodowych tranzystorów MOSFET firmy Toshiba, przeznaczonych do zastosowań samochodowych, wchodzą dwa nowe tranzystory n-kanałowe: XPH4R10ANB i XPH6R30ANB o dopuszczalnym ciągłym i impulsowym prądzie drenu wynoszącym odpowiednio 70 A/210 A i 45 A/135 A. Są to pierwsze tego typu tranzystory w ofercie Toshiba, zamykane w obudowach SOP Advance (WF) o wymiarach 6,0 x 5,0 x 0,95 mm, umożliwiających automatyczną inspekcję optyczną połączeń.

Są polecane do zastosowań w 48-woltowych instalacjach samochodowych, m.in. w konwerterach DC-DC boost generatorów ISG i reflektorów LED oraz w układzie napędowym i przełącznikach zasilania. Charakteryzują się napięciem VDSS równym 100 V, maksymalną temperaturą pracy złącza +175°C i bardzo małą rezystancją RDS(on), przykładowo wynoszącą zaledwie 4,1 mΩ dla XPH4R10ANB. Uzyskały kwalifikację AEC-Q101.

Zapytanie ofertowe
Dotyczy produktu
Pierwsze 100-woltowe samochodowe tranzystory n-MOS w obudowach SOP Advance (WF)
Firma: Toshiba Corporation
Kategoria: Podzespoły półprzewodnikowe
Treść zapytania *
Imię i nazwisko *
Nazwa firmy
Adres firmy
Kod pocztowy
Miasto
E-mail *
Telefon
Usługa przesyłania zapytań ofertowych jest bezpłatna i nie rodzi żadnego zobowiązania po stronie zadającego pytanie. Administratorem danych osobowych jest AVT-Korporacja sp. z o.o. z siedzibą: ul. Leszczynowa 11, 03-197 Warszawa. Celem przetwarzania danych jest realizacja usługi i jest ograniczone czasowo do jej wykonania. Podstawa prawna: art. 5, 6, 12, 13 Ogólnego rozporządzenia o ochronie danych osobowych (RODO).