Pierwsze 100-woltowe samochodowe tranzystory n-MOS w obudowach SOP Advance (WF)

Do oferty samochodowych tranzystorów MOSFET firmy Toshiba, przeznaczonych do zastosowań samochodowych, wchodzą dwa nowe tranzystory n-kanałowe: XPH4R10ANB i XPH6R30ANB o dopuszczalnym ciągłym i impulsowym prądzie drenu wynoszącym odpowiednio 70 A/210 A i 45 A/135 A. Są to pierwsze tego typu tranzystory w ofercie Toshiba, zamykane w obudowach SOP Advance (WF) o wymiarach 6,0 x 5,0 x 0,95 mm, umożliwiających automatyczną inspekcję optyczną połączeń.

Są polecane do zastosowań w 48-woltowych instalacjach samochodowych, m.in. w konwerterach DC-DC boost generatorów ISG i reflektorów LED oraz w układzie napędowym i przełącznikach zasilania. Charakteryzują się napięciem V_DSS równym 100 V, maksymalną temperaturą pracy złącza +175°C i bardzo małą rezystancją R_DS(on), przykładowo wynoszącą zaledwie 4,1 mΩ dla XPH4R10ANB. Uzyskały kwalifikację AEC-Q101.