stdClass Object
(
    [id] => 13588
    [categories_id] => 2756
    [categories_type_id] => 1511
    [categories_article_type_id] => 2686
    [catalog_firm_id] => 0
    [users_last_edit_id] => 3230
    [assets_id] => 
    [ulubionykiosk_id] => 0
    [name] => Nowe tranzystory GaN-HEMT do systemów komunikacji satelitarnej na pasmo Ku
    [alias] => nowe-tranzystory-gan-hemt-do-systemow-komunikacji-satelitarnej-na-pasmo-ku
    [introtext] => 

Zapotrzebowanie na systemy komunikacji satelitarnej pracujące w paśmie Ku oraz systemy transmisyjne SNG (satellite news-gathering) szybko rośnie ze względu na oferowane przez nie możliwości niezawodnej transmisji danych w rejonach występowania klęsk żywiołowych oraz w obszarach wiejskich, gdzie instalowanie sieci kablowych jest problematyczne. Ponadto, konieczność transmisji coraz większych ilości danych zwiększyła zapotrzebowanie na systemy satelitarne multi-carrier i single-carrier.

[fulltext] =>

Do tego typu zastosowań firma Mitsubishi Electric opracowała dwa nowe tranzystory GaN-HEMT na pasmo Ku (12…18 GHz). MGFK48G3745A i MGFK50G3745A pracują z maksymalną mocą wyjściową odpowiednio 70 i 100 W. Pierwszy z nich, dzięki nowo zaprojektowanemu obwodowi dopasowującemu, zapewnia małe zniekształcenia intermodulacyjne (IMD3) przy szerokim offsecie częstotliwości na poziomie 400 MHz, co jest najlepszym obecnie wynikiem dla tego typu komponentów. Jego częstotliwość offsetu jest 80-krotnie większa od wcześniejszych modeli, co jest kluczowe w szybkich systemach komunikacyjnych multi-carrier o dużej przepływności danych. Model MGFK50G3745A zapewnia z kolei małe zniekształcenia intermodulacyjne i częstotliwość offsetu 200 MHz przy dużej mocy wyjściowej, co pozwala zredukować liczbę komponentów i ułatwić realizację mniejszych stacji naziemnych.

Rozpoczęcie produkcji nowych tranzystorów MGFK48G3745A i MGFK50G3745A przewidziano na styczeń 2020.

[price] => 0.00 [price_old] => [meta_title] => [meta_description] => [meta_data] => [published] => 1 [date_modified] => 2020-03-30 22:41:52 [date_created] => 2020-03-30 22:38:21 [date_publish] => 2020-03-31 05:52:21 [date_publish_down] => 0000-00-00 00:00:00 [hits] => 0 [checked_out] => 0 [checked_out_time] => 0000-00-00 00:00:00 [redakcja] => 1 [ceneo_phrase] => [product_name] => [www] => www.mitsubishielectric.com [firm_name] => [firmId] => [firmType] => [firmCategory] => [firmAlias] => [firmWww] => [firmPaid] => [categoryTitle] => Podzespoły półprzewodnikowe [articleTypeId] => 2686 [articleTypeTitle] => Komponenty [linkCategory] => /produkty/podzespoly-elektroniczne/podzespoly-polprzewodnikowe [articleTypeListLink] => /komponenty/produkty )

Nowe tranzystory GaN-HEMT do systemów komunikacji satelitarnej na pasmo Ku

Zapotrzebowanie na systemy komunikacji satelitarnej pracujące w paśmie Ku oraz systemy transmisyjne SNG (satellite news-gathering) szybko rośnie ze względu na oferowane przez nie możliwości niezawodnej transmisji danych w rejonach występowania klęsk żywiołowych oraz w obszarach wiejskich, gdzie instalowanie sieci kablowych jest problematyczne. Ponadto, konieczność transmisji coraz większych ilości danych zwiększyła zapotrzebowanie na systemy satelitarne multi-carrier i single-carrier.

Do tego typu zastosowań firma Mitsubishi Electric opracowała dwa nowe tranzystory GaN-HEMT na pasmo Ku (12…18 GHz). MGFK48G3745A i MGFK50G3745A pracują z maksymalną mocą wyjściową odpowiednio 70 i 100 W. Pierwszy z nich, dzięki nowo zaprojektowanemu obwodowi dopasowującemu, zapewnia małe zniekształcenia intermodulacyjne (IMD3) przy szerokim offsecie częstotliwości na poziomie 400 MHz, co jest najlepszym obecnie wynikiem dla tego typu komponentów. Jego częstotliwość offsetu jest 80-krotnie większa od wcześniejszych modeli, co jest kluczowe w szybkich systemach komunikacyjnych multi-carrier o dużej przepływności danych. Model MGFK50G3745A zapewnia z kolei małe zniekształcenia intermodulacyjne i częstotliwość offsetu 200 MHz przy dużej mocy wyjściowej, co pozwala zredukować liczbę komponentów i ułatwić realizację mniejszych stacji naziemnych.

Rozpoczęcie produkcji nowych tranzystorów MGFK48G3745A i MGFK50G3745A przewidziano na styczeń 2020.