Tranzystor MOSFET o prądzie drenu do 380 A i rekordowo małej rezystancji RDS(on)

Do oferty firmy Nexperia trafił nowy 25-woltowy tranzystor MOSFET o symbolu PSMNR51-25YLH, charakteryzujący się rekordowo małą rezystancją R_DS(on), wynoszącą 0,57 mΩ. Jest on produkowany w procesie technologicznym NextPowerS3, pozwalającym uzyskać bardzo małą rezystancję przewodzenia bez pogorszenia innych ważnych parametrów, takich jak maksymalny prąd drenu, obszar bezpiecznej pracy (SOA) czy ładunek bramki. PSMNR51-25YLH jest zamykany w obudowie LFPAK56 o powierzchni 6 x 5 mm, kompatybilnej ze standardem Power-SO8. Konstrukcja wewnętrznych połączeń typu copper-clip skutecznie absorbuje naprężenia termiczne, zapewniając niezawodną pracę w długim okresie czasu.

Pomimo małych gabarytów, tranzystor umożliwia przewodzenie prądu drenu o natężeniu do 380 A. Jest to ważne dla zapewnienia bezpiecznej i niezawodnej pracy m.in. układów napędowych, w których przy utknięciu silnika może wystąpić krótkotrwały przepływ dużego impulsu prądowego. W odróżnieniu od odpowiedników innych producentów, dla których prąd I_{D maks.} jest określany tylko teoretycznie, w przypadku PSMNR51-25YLH został on zmierzony doświadczalnie. Typowy zakres zastosowań tranzystora obejmuje układy napędowe silników BLDC oraz układy zasilania serwerów.