stdClass Object
(
    [id] => 13769
    [categories_id] => 2756
    [categories_type_id] => 1511
    [categories_article_type_id] => 2686
    [catalog_firm_id] => 0
    [users_last_edit_id] => 3230
    [assets_id] => 
    [ulubionykiosk_id] => 0
    [name] => Szybkie p-kanałowe tranzystory MOSFET o małej rezystancji RDS(on)
    [alias] => szybkie-p-kanalowe-tranzystory-mosfet-o-malej-rezystancji-rds-on
    [introtext] => 

Do oferty firmy Torex wchodzą dwa nowe p-kanałowe tranzystory MOSFET o niskiej rezystancji kanału i napięciu przebicia 30 V, oznaczone symbolami XP231P02013R i XP232P05013R. Są to tranzystory uniwersalne, mogące znaleźć zastosowanie m.in. w szybkich układach przełączających. Zawierają wbudowaną diodę zabezpieczającą bramkę przed wyładowaniami ESD.

[fulltext] =>

XP231P02013R i XP232P05013R różnią się dopuszczalnym ciągłym prądem drenu, wynoszącym odpowiednio 0,2 i 0,45 A. Ich rezystancja RDS(on) to odpowiednio 5 Ω i 1,25 Ω przy napięciu VGS równym -4,5 V. Oba modele są zamykane w obudowach sSOT-323-3A o powierzchni 2,1 x 1,25 mm i grubości 0,95 mm.

[price] => 0.00 [price_old] => [meta_title] => [meta_description] => [meta_data] => [published] => 1 [date_modified] => 2020-05-29 06:08:35 [date_created] => 2020-05-29 06:06:32 [date_publish] => 2020-05-29 06:06:32 [date_publish_down] => 0000-00-00 00:00:00 [hits] => 0 [checked_out] => 0 [checked_out_time] => 0000-00-00 00:00:00 [redakcja] => 1 [ceneo_phrase] => [product_name] => [www] => www.torexsemi.com [firm_name] => [firmId] => [firmType] => [firmCategory] => [firmAlias] => [firmWww] => [firmPaid] => [categoryTitle] => Podzespoły półprzewodnikowe [articleTypeId] => 2686 [articleTypeTitle] => Komponenty [linkCategory] => /produkty/podzespoly-elektroniczne/podzespoly-polprzewodnikowe [articleTypeListLink] => /komponenty/produkty )

Szybkie p-kanałowe tranzystory MOSFET o małej rezystancji RDS(on)

Do oferty firmy Torex wchodzą dwa nowe p-kanałowe tranzystory MOSFET o niskiej rezystancji kanału i napięciu przebicia 30 V, oznaczone symbolami XP231P02013R i XP232P05013R. Są to tranzystory uniwersalne, mogące znaleźć zastosowanie m.in. w szybkich układach przełączających. Zawierają wbudowaną diodę zabezpieczającą bramkę przed wyładowaniami ESD.

XP231P02013R i XP232P05013R różnią się dopuszczalnym ciągłym prądem drenu, wynoszącym odpowiednio 0,2 i 0,45 A. Ich rezystancja RDS(on) to odpowiednio 5 Ω i 1,25 Ω przy napięciu VGS równym -4,5 V. Oba modele są zamykane w obudowach sSOT-323-3A o powierzchni 2,1 x 1,25 mm i grubości 0,95 mm.