Ultraminiaturowy sterownik bramek tranzystorów MOSFET do aplikacji niskonapięciowych

Każdorazowo, gdy w zasilaczu impulsowym następuje włączenie lub wyłączenie tranzystora MOSFET, indukcyjności pasożytnicze powodują przesunięcie poziomu masy, mogące powodować błędne działanie układu scalonego sterującego bramką. Nowy jednokanałowy sterownik bramek firmy Infineon Technologies został zaprojektowany dla wyeliminowania tego problemu. Przy wejściowym sygnale PWM o napięciu 3,3 V, zapewnia on odporność na przesunięcia poziomu masy nawet do ±150 V_P-P (CMR) w trybie dynamicznym.

1EDN7550U to miniaturowy układ zamykany w 6-wyprowadzeniowej obudowie TSNP o wymiarach zaledwie 1,5 x 1,1 x 0,39 mm, stanowiący rozszerzenie rodziny sterowników EiceDRIVER 1EDN TDI. Podobnie, jak inne układy tej rodziny, pozwala zwiększyć gęstość mocy i sprawność zasilacza, równocześnie będąc elementem tańszym od rozwiązań konkurencyjnych. Charakteryzuje się czasem propagacji +10/-7 ns i wydajnością prądową +4/-8 A.

EiceDRIVER 1EDN7550U umożliwia pracę 25- i 40-woltowych tranzystorów MOSFET rodziny OptiMOS w topologii z przełączanymi pojemnościami przy częstotliwości taktowania do 1,2 MHz. W tego typu aplikacji pozwala zapewnić sprawność sięgającą nawet 97% i dużą gęstość mocy. Zajmuje 5-krotnie mniejszą powierzchnię od innych układów tej rodziny, zamykanych w obudowach SOT-23. Zawiera zabezpieczenie podnapięciowe.

 

1EDN7550U w układzie sterowania bramką tranzystora MOSFET