1200-woltowe tranzystory SiC MOSFET do fotowoltaiki i ładowarek samochodowych

Mitsubishi Electric uzupełnia ofertę tranzystorów MOSFET dużej mocy o nową serię N obejmującą tranzystory o napięciu przebicia 1200 V, produkowane na podłożach SiC. Są one projektowane z myślą o zastosowaniach w instalacjach fotowoltaicznych i systemach ładowania akumulatorów samochodowych.

Dzięki technice domieszkowania stosowanej w tranzystorach JFET zredukowano w nich zarówno rezystancję kanału, jak i straty przy przełączaniu. Uzyskany w wyniku tego bardzo mały współczynnik FoM, wynoszący już od 1450 mΩ*nC, zapewnia mniejsze nawet o 85% straty mocy od konwencjonalnych, krzemowych tranzystorów IGBT. Dodatkowo, tranzystory te cechują się małą wewnętrzną pojemnością bramka-dren (Crss), zapewniającą dużą odporność na samoczynne włączenie w porównaniu z tranzystorami konkurencyjnymi i umożliwiającą pracę z dużą szybkością przełączania przy małych stratach.

Oferta tranzystorów serii N obejmuje obecnie 6 wersji, w tym 3 z kwalifikacją AEC-Q101. Są one zamykane w obudowach TO-247-3. Mogą pracować z dopuszczalnym prądem drenu do 102 A.