stdClass Object
(
    [id] => 14055
    [categories_id] => 2756
    [categories_type_id] => 1511
    [categories_article_type_id] => 2686
    [catalog_firm_id] => 0
    [users_last_edit_id] => 3230
    [assets_id] => 
    [ulubionykiosk_id] => 0
    [name] => 1200-woltowe tranzystory SiC MOSFET do fotowoltaiki i ładowarek samochodowych
    [alias] => 1200-woltowe-tranzystory-sic-mosfet-do-fotowoltaiki-i-ladowarek-samochodowych
    [introtext] => 

Mitsubishi Electric uzupełnia ofertę tranzystorów MOSFET dużej mocy o nową serię N obejmującą tranzystory o napięciu przebicia 1200 V, produkowane na podłożach SiC. Są one projektowane z myślą o zastosowaniach w instalacjach fotowoltaicznych i systemach ładowania akumulatorów samochodowych.

[fulltext] =>

Dzięki technice domieszkowania stosowanej w tranzystorach JFET zredukowano w nich zarówno rezystancję kanału, jak i straty przy przełączaniu. Uzyskany w wyniku tego bardzo mały współczynnik FoM, wynoszący już od 1450 mΩ*nC, zapewnia mniejsze nawet o 85% straty mocy od konwencjonalnych, krzemowych tranzystorów IGBT. Dodatkowo, tranzystory te cechują się małą wewnętrzną pojemnością bramka-dren (Crss), zapewniającą dużą odporność na samoczynne włączenie w porównaniu z tranzystorami konkurencyjnymi i umożliwiającą pracę z dużą szybkością przełączania przy małych stratach.

Oferta tranzystorów serii N obejmuje obecnie 6 wersji, w tym 3 z kwalifikacją AEC-Q101. Są one zamykane w obudowach TO-247-3. Mogą pracować z dopuszczalnym prądem drenu do 102 A.

[price] => 0.00 [price_old] => [meta_title] => [meta_description] => [meta_data] => [published] => 1 [date_modified] => 2020-09-23 07:12:01 [date_created] => 2020-09-23 07:08:25 [date_publish] => 2020-09-23 05:52:25 [date_publish_down] => 0000-00-00 00:00:00 [hits] => 0 [checked_out] => 0 [checked_out_time] => 0000-00-00 00:00:00 [redakcja] => 1 [ceneo_phrase] => [product_name] => [www] => www.mitsubishielectric.com [firm_name] => [firmId] => [firmType] => [firmCategory] => [firmAlias] => [firmWww] => [firmPaid] => [categoryTitle] => Podzespoły półprzewodnikowe [articleTypeId] => 2686 [articleTypeTitle] => Komponenty [linkCategory] => /produkty/podzespoly-elektroniczne/podzespoly-polprzewodnikowe [articleTypeListLink] => /komponenty/produkty )

1200-woltowe tranzystory SiC MOSFET do fotowoltaiki i ładowarek samochodowych

Mitsubishi Electric uzupełnia ofertę tranzystorów MOSFET dużej mocy o nową serię N obejmującą tranzystory o napięciu przebicia 1200 V, produkowane na podłożach SiC. Są one projektowane z myślą o zastosowaniach w instalacjach fotowoltaicznych i systemach ładowania akumulatorów samochodowych.

Dzięki technice domieszkowania stosowanej w tranzystorach JFET zredukowano w nich zarówno rezystancję kanału, jak i straty przy przełączaniu. Uzyskany w wyniku tego bardzo mały współczynnik FoM, wynoszący już od 1450 mΩ*nC, zapewnia mniejsze nawet o 85% straty mocy od konwencjonalnych, krzemowych tranzystorów IGBT. Dodatkowo, tranzystory te cechują się małą wewnętrzną pojemnością bramka-dren (Crss), zapewniającą dużą odporność na samoczynne włączenie w porównaniu z tranzystorami konkurencyjnymi i umożliwiającą pracę z dużą szybkością przełączania przy małych stratach.

Oferta tranzystorów serii N obejmuje obecnie 6 wersji, w tym 3 z kwalifikacją AEC-Q101. Są one zamykane w obudowach TO-247-3. Mogą pracować z dopuszczalnym prądem drenu do 102 A.