stdClass Object
(
    [id] => 14216
    [categories_id] => 2756
    [categories_type_id] => 1511
    [categories_article_type_id] => 0
    [catalog_firm_id] => 508
    [users_last_edit_id] => 3230
    [assets_id] => 
    [ulubionykiosk_id] => 0
    [name] => Tranzystory IGBT rodziny Trenchstop IGBT7 w obudowach TO-247
    [alias] => tranzystory-igbt-rodziny-trenchstop-igbt7-w-obudowach-to-247
    [introtext] => 

Po wcześniejszych wersjach produkowanych w obudowach EconoDUAL i Easy, firma Infineon wprowadza obecnie na rynek dyskretne tranzystory IGBT rodziny Trenchstop IGBT7 zamykane w obudowach typu TO-247. Są to tranzystory o napięciu przebicia 650 V, produkowane w wersjach o dopuszczalnym prądzie drenu 20, 30, 40, 50 i 75 A. Mogą stanowić zamienniki wcześniejszych wersji, jak również nadają się do łączenia równoległego tam, gdzie wymagane jest zapewnienie dużej wydajności prądowej. Przykładem mogą być układy napędowe, korekcji PFC i fotowoltaiczne oraz zasilacze UPS.

[fulltext] =>

Tranzystory Trenchstop IGBT7, produkowane w oparciu o nową technologię micro-pattern trench, pozwalają uzyskać znacznie mniejsze straty statyczne od wcześniejszych wersji. Przy tym samym prądzie przewodzenia ich napięcie w stanie On zredukowano o około 10%. Wewnętrzne, szybkie diody regeneracyjne 7. generacji (EC7) wykazują mniejsze o 150 mV napięcie przewodzenia VF. Dodatkową zaletą jest odporność na krótkotrwałe zwarcia i wilgoć. Tranzystory Trenchstop IGBT7 przeszły testy w tym zakresie testy HV-H3TRB (High Voltage High Humidity High Temperature Reverse Bias).

[price] => 0.00 [price_old] => [meta_title] => [meta_description] => [meta_data] => [published] => 1 [date_modified] => 2020-11-19 07:30:07 [date_created] => 2020-11-19 07:27:37 [date_publish] => 2020-11-19 06:55:37 [date_publish_down] => 0000-00-00 00:00:00 [hits] => 0 [checked_out] => 0 [checked_out_time] => 0000-00-00 00:00:00 [redakcja] => 1 [ceneo_phrase] => [product_name] => [www] => www.infineon.com [firm_name] => Infineon Technologies AG [firmId] => 508 [firmType] => 1975 [firmCategory] => 2457 [firmAlias] => infineon-technologies-ag [firmWww] => http://www.infineon.com [firmPaid] => 0 [categoryTitle] => Podzespoły półprzewodnikowe [articleTypeId] => [articleTypeTitle] => [linkCategory] => /produkty/podzespoly-elektroniczne/podzespoly-polprzewodnikowe [articleTypeListLink] => )

Tranzystory IGBT rodziny Trenchstop IGBT7 w obudowach TO-247

Produkt firmy:

Infineon Technologies AG

Kategoria produktu: Podzespoły półprzewodnikowe

Po wcześniejszych wersjach produkowanych w obudowach EconoDUAL i Easy, firma Infineon wprowadza obecnie na rynek dyskretne tranzystory IGBT rodziny Trenchstop IGBT7 zamykane w obudowach typu TO-247. Są to tranzystory o napięciu przebicia 650 V, produkowane w wersjach o dopuszczalnym prądzie drenu 20, 30, 40, 50 i 75 A. Mogą stanowić zamienniki wcześniejszych wersji, jak również nadają się do łączenia równoległego tam, gdzie wymagane jest zapewnienie dużej wydajności prądowej. Przykładem mogą być układy napędowe, korekcji PFC i fotowoltaiczne oraz zasilacze UPS.

Tranzystory Trenchstop IGBT7, produkowane w oparciu o nową technologię micro-pattern trench, pozwalają uzyskać znacznie mniejsze straty statyczne od wcześniejszych wersji. Przy tym samym prądzie przewodzenia ich napięcie w stanie On zredukowano o około 10%. Wewnętrzne, szybkie diody regeneracyjne 7. generacji (EC7) wykazują mniejsze o 150 mV napięcie przewodzenia VF. Dodatkową zaletą jest odporność na krótkotrwałe zwarcia i wilgoć. Tranzystory Trenchstop IGBT7 przeszły testy w tym zakresie testy HV-H3TRB (High Voltage High Humidity High Temperature Reverse Bias).

Zapytanie ofertowe
Dotyczy produktu
Tranzystory IGBT rodziny Trenchstop IGBT7 w obudowach TO-247
Firma: Infineon Technologies AG
Kategoria: Podzespoły półprzewodnikowe
Treść zapytania *
Imię i nazwisko *
Nazwa firmy
Adres firmy
Kod pocztowy
Miasto
E-mail *
Telefon
Usługa przesyłania zapytań ofertowych jest bezpłatna i nie rodzi żadnego zobowiązania po stronie zadającego pytanie. Administratorem danych osobowych jest AVT-Korporacja sp. z o.o. z siedzibą: ul. Leszczynowa 11, 03-197 Warszawa. Celem przetwarzania danych jest realizacja usługi i jest ograniczone czasowo do jej wykonania. Podstawa prawna: art. 5, 6, 12, 13 Ogólnego rozporządzenia o ochronie danych osobowych (RODO).