stdClass Object
(
    [id] => 14222
    [categories_id] => 2756
    [categories_type_id] => 1511
    [categories_article_type_id] => 2686
    [catalog_firm_id] => 1601
    [users_last_edit_id] => 3230
    [assets_id] => 
    [ulubionykiosk_id] => 0
    [name] => 200-woltowy n-kanałowy MOSFET o rezystancji RDS(on) równej 61 mΩ
    [alias] => 200-woltowy-n-kanalowy-mosfet-o-rezystancji-rds-on-rownej-61-m
    [introtext] => 

SiSS94DN to kolejny n-kanałowy tranzystor MOSFET firmy Vishay Siliconix, zoptymalizowany do pracy w układach impulsowych, charakteryzujący się małą rezystancją kanału i małym współczynnikiem FOM. Jest tranzystorem o napięciu przebicia równym 200 V i maksymalnym prądzie drenu 19,5 A, zamykanym w obudowie PowerPAK 1212-8S o powierzchni 3,3 x 3,3 mm, mniejszej o 65% od innych tranzystorów o zbliżonej rezystancji kanału.

[fulltext] =>

SiSS94DN charakteryzuje się rezystancją RDS(on) równą 61 mΩ @ 10 V i współczynnikiem FOM równym 854 mΩ*nC. Typowe wartości RDS(on) tranzystorów rodziny TrenchFET Gen IV, do której należy SiSS94DN, są mniejsze o 20% od rezystancji innych dostępnych obecnie na rynku tranzystorów o podobnych rozmiarach obudowy, a ich współczynnik FOM jest mniejszy o 17% od tranzystorów poprzedniej generacji. Oznacza to mniejsze straty na przewodzenie i przełączanie oraz większą sprawność energetyczną w układach zasilania, konwersji mocy i napędowych. Ponadto, pozwala to na zastępowanie tranzystorów o zbliżonych parametrach, produkowanych w większych obudowach.

[price] => 0.00 [price_old] => [meta_title] => [meta_description] => [meta_data] => [published] => 1 [date_modified] => 2020-11-23 01:25:27 [date_created] => 2020-11-23 01:24:08 [date_publish] => 2020-11-23 06:55:08 [date_publish_down] => 0000-00-00 00:00:00 [hits] => 0 [checked_out] => 0 [checked_out_time] => 0000-00-00 00:00:00 [redakcja] => 1 [ceneo_phrase] => [product_name] => [www] => www.vishay.com [firm_name] => Vishay Intertechnology, Inc. [firmId] => 1601 [firmType] => 1975 [firmCategory] => 2457 [firmAlias] => vishay-intertechnology-inc [firmWww] => www.vishay.com [firmPaid] => 0 [categoryTitle] => Podzespoły półprzewodnikowe [articleTypeId] => 2686 [articleTypeTitle] => Komponenty [linkCategory] => /produkty/podzespoly-elektroniczne/podzespoly-polprzewodnikowe [articleTypeListLink] => /komponenty/produkty )

200-woltowy n-kanałowy MOSFET o rezystancji RDS(on) równej 61 mΩ

Produkt firmy:

Vishay Intertechnology, Inc.

SiSS94DN to kolejny n-kanałowy tranzystor MOSFET firmy Vishay Siliconix, zoptymalizowany do pracy w układach impulsowych, charakteryzujący się małą rezystancją kanału i małym współczynnikiem FOM. Jest tranzystorem o napięciu przebicia równym 200 V i maksymalnym prądzie drenu 19,5 A, zamykanym w obudowie PowerPAK 1212-8S o powierzchni 3,3 x 3,3 mm, mniejszej o 65% od innych tranzystorów o zbliżonej rezystancji kanału.

SiSS94DN charakteryzuje się rezystancją RDS(on) równą 61 mΩ @ 10 V i współczynnikiem FOM równym 854 mΩ*nC. Typowe wartości RDS(on) tranzystorów rodziny TrenchFET Gen IV, do której należy SiSS94DN, są mniejsze o 20% od rezystancji innych dostępnych obecnie na rynku tranzystorów o podobnych rozmiarach obudowy, a ich współczynnik FOM jest mniejszy o 17% od tranzystorów poprzedniej generacji. Oznacza to mniejsze straty na przewodzenie i przełączanie oraz większą sprawność energetyczną w układach zasilania, konwersji mocy i napędowych. Ponadto, pozwala to na zastępowanie tranzystorów o zbliżonych parametrach, produkowanych w większych obudowach.

Zapytanie ofertowe
Dotyczy produktu
200-woltowy n-kanałowy MOSFET o rezystancji RDS(on) równej 61 mΩ
Firma: Vishay Intertechnology, Inc.
Kategoria: Podzespoły półprzewodnikowe
Treść zapytania *
Imię i nazwisko *
Nazwa firmy
Adres firmy
Kod pocztowy
Miasto
E-mail *
Telefon
Usługa przesyłania zapytań ofertowych jest bezpłatna i nie rodzi żadnego zobowiązania po stronie zadającego pytanie. Administratorem danych osobowych jest AVT-Korporacja sp. z o.o. z siedzibą: ul. Leszczynowa 11, 03-197 Warszawa. Celem przetwarzania danych jest realizacja usługi i jest ograniczone czasowo do jej wykonania. Podstawa prawna: art. 5, 6, 12, 13 Ogólnego rozporządzenia o ochronie danych osobowych (RODO).