250-woltowy tranzystor MOSFET o zwiększonej odporności na promieniowanie kosmiczne

Do oferty firmy Microchip wchodzi krzemowy tranzystor MOSFET o symbolu M6 MRH25N12U3, zaprojektowany do pracy w przestrzeni kosmicznej. Jest to tranzystor o napięciu przebicia 250 V i rezystancji RDS(on) poniżej 0,21 Ω, przeznaczony do zastosowań jako główny element przełączający w konwerterach DC-DC i układach napędowych, spełniający wszystkie wymogi normy MIL-PRF19500/746.

Zapewnia odporność na całkowitą dawkę napromieniowania TID do 100 krad(Si) i impulsy energetyczne SEE do 80 MeV*cm2/mg. W zakresie odporności na wyładowania ESD spełnia wymogi normy MIL-STD-750, TM 1020, Class 3B. Jest zamykany w hermetycznej, ceramicznej obudowie SMD U3 (SMD-0.5).

Pozostałe parametry:

• ID: 12,4 A @ +25°C (7,8 A @ +100°C),
• IDM: 49,6 A,
• IDSS: maks. 10 µA @ +25°C (25 µA @ +125°C),
• PD: 75 W @ +25°C,
• VGS: ±20 V,
• VGS(th): 2...4 V,
• TJ: -50...+150°C.