Pamięci UFS Ver. 3.1 o pojemności 256 i 512 GB do urządzeń mobilnych

Produkt firmy:

Toshiba Corporation

Kategoria produktu: Podzespoły półprzewodnikowe

KIOXIA America wprowadza na rynek najnowszą generację pamięci Universal Flash Storage (UFS) Ver. 3.1 do urządzeń mobilnych, produkowanych w procesie BiCS FLASH 3D. Są one dostępne w wersjach o pojemności 256 i 512 GB. Zapewniają większą o 30% szybkość odczytu oraz o 40% szybkość zapisu w trybie random od poprzedników.

Są też produkowane w cieńszych obudowach o grubości odpowiednio 0,8 mm i 1,0 mm, pozwalających na montaż w nowej generacji smartfonów i innych urządzeniach o dużej gęstości upakowania podzespołów. Funkcja HPB v2.0 (Host Performance Booster) przyspiesza operacje w trybie random, dzięki wykorzystaniu pamięci hosta jako pamięci podręcznej dla tablicy mapowania FTL (Flash Translation Layer). Dzięki HPB, dane FTL mogą być odczytywane z pamięci hosta szybciej niż z pamięci Flash NAND.

Zapytania ofertowe
Pamięci UFS Ver. 3.1 o pojemności 256 i 512 GB do urządzeń mobilnych
Zapytanie ofertowe
Zapytanie ofertowe
Dotyczy produktu
Pamięci UFS Ver. 3.1 o pojemności 256 i 512 GB do urządzeń mobilnych
Firma: Toshiba Corporation
Kategoria: Podzespoły półprzewodnikowe
Treść zapytania *
Imię i nazwisko *
Nazwa firmy
Adres firmy
Kod pocztowy
Miasto
E-mail *
Telefon
Usługa przesyłania zapytań ofertowych jest bezpłatna i nie rodzi żadnego zobowiązania po stronie zadającego pytanie. Administratorem danych osobowych jest AVT-Korporacja sp. z o.o. z siedzibą: ul. Leszczynowa 11, 03-197 Warszawa. Celem przetwarzania danych jest realizacja usługi i jest ograniczone czasowo do jej wykonania. Podstawa prawna: art. 5, 6, 12, 13 Ogólnego rozporządzenia o ochronie danych osobowych (RODO).