Pamięci UFS Ver. 3.1 o pojemności 256 i 512 GB do urządzeń mobilnych
Toshiba Corporation
KIOXIA America wprowadza na rynek najnowszą generację pamięci Universal Flash Storage (UFS) Ver. 3.1 do urządzeń mobilnych, produkowanych w procesie BiCS FLASH 3D. Są one dostępne w wersjach o pojemności 256 i 512 GB. Zapewniają większą o 30% szybkość odczytu oraz o 40% szybkość zapisu w trybie random od poprzedników.
Są też produkowane w cieńszych obudowach o grubości odpowiednio 0,8 mm i 1,0 mm, pozwalających na montaż w nowej generacji smartfonów i innych urządzeniach o dużej gęstości upakowania podzespołów. Funkcja HPB v2.0 (Host Performance Booster) przyspiesza operacje w trybie random, dzięki wykorzystaniu pamięci hosta jako pamięci podręcznej dla tablicy mapowania FTL (Flash Translation Layer). Dzięki HPB, dane FTL mogą być odczytywane z pamięci hosta szybciej niż z pamięci Flash NAND.