Półmostkowy sterownik bramek tranzystorów GaN o krótkim czasie propagacji
STMicroelectronics SA oddział w Polsce
STDRIVEG600 to najnowszy półmostkowy sterownik bramek tranzystorów GaN FET z oferty firmy STMicroelectronics, sterujący dwoma tranzystorami w układzie półmostkowym. Nadaje się też do współpracy z n-kanałowymi tranzystorami MOSFET w wysokonapięciowych przetwornicach AC-DC i DC-DC, zasilaczach impulsowych i UPS, systemach solarnych oraz układach napędowych.
Układ charakteryzuje się dużą wydajnością prądową i krótkim czasem propagacji (45 ns), ściśle dopasowanym między wyjściami high-side i low-side. Umożliwia to pracę z dużą częstotliwością przełączania tranzystorów. STDRIVEG600 generuje napięcie VGS do 6 V, zapewniając małą rezystancję RDS(on). Zawiera zintegrowany obwód bootstrap, pozwalający skrócić listę elementów zewnętrznych i uprościć projekt płytki drukowanej, dzięki wyeliminowaniu zewnętrznego regulatora LDO. Odporność na impulsy wejściowe o szybkości narastania do ±200 V/ns zapewnia niezawodne sterowanie bramką w wymagających środowiskach elektrycznych.
Wejścia logiczne CMOS/TTL układu akceptują napięcia od 3,3 V, co ułatwia współpracę z mikrokontrolerami host i układami DSP. Sekcja wysokonapięciowa akceptuje napięcie do 600 V. Stopień wyjściowy charakteryzuje się wydajnością prądową -5,5 A/6 A (sink/source) i zawiera oddzielne wyprowadzenia do włączania/wyłączania tranzystorów, pozwalając projektantowi na wybór optymalnego sposobu sterowania bramkami. Dodatkowo, obie sekcje - high-side i low-side - obsługują połączenie tranzystorów w układzie Kelvina (z podwójną elektrodą źródła), pozwalając na łatwe podłączenie rezystora szeregowego do pomiaru natężenia prądu.
STDRIVEG600 zawiera zabezpieczenie podnapięciowe (w obu sekcjach sterowania), termiczne i przed równoczesnym włączeniem obu tranzystorów. Ponadto, został wyposażony w wejście shutdown, umożliwiające przełączenie w tryb oszczędnościowy. Jest zamykany w obudowie SO-16. Jego ceny hurtowe zaczynają się od 1,07 USD przy zamówieniach 1000 sztuk.
Producent oferuje dwa zestawy ewaluacyjne: EVSTDRIVEG600DG z tranzystorem GaN HEMT (150 mΩ, 650 V) oraz EVSTDRIVEG600DM z krzemowym tranzystorem MOSFET STL33N60DM2 MDmesh (115 mΩ, 600 V) z wewnętrzną szybką diodą regeneracyjną.
