Małostratne tranzystory MOSFET do serwerowych i telekomunikacyjnych systemów zasilania

Firma onsemi dodaje do oferty nową rodzinę małostratnych tranzystorów MOSFET SUPERFET V do serwerowych i telekomunikacyjnych systemów zasilania. Pozwalają one na uzyskanie certyfikatu sprawności w klasie 80 PLUS Titanium, oznaczającego 90-procentową sprawność zasilacza przy obciążeniu równym 10% i 96-procentową przy obciążeniu równym 50%. Tranzystory SUPERFET V charakteryzują się napięciem przebicia 600 V. Występują w trzech grupach produktowych: FAST, Easy Drive i FRET, przystosowanych do różnych rodzajów aplikacji i topologii. Wszystkie charakteryzują się małymi stratami przy pracy impulsowej, małymi szumami indukowanymi na bramce i szerokim zakresem napięcia V_GSS do ±30 V.

Tranzystory SUPERFET V w wersji FAST są przystosowane do pracy w topologii hard switching, na przykład w wysokiej klasy układach korekcji PFC. Charakteryzują się małym ładunkiem bramki i małymi stratami EOSS, zapewniając dużą szybkość przełączania. Pierwsze tranzystory tej grupy to NTNL041N60S5H (R_DS(on)=41 mΩ) i NTHL185N60S5H (R_DS(on)=185 mΩ), zamykane w obudowach TO-247 oraz NTP185N60S5H i NTMT185N60S5H w obudowach odpowiednio TO-220 i Power88 (8 x 8 x 1 mm).

Tranzystory SUPERFET V w wersji Easy Drive mogą być stosowane w układach o topologii hard switching i soft switching. Zawierają wewnętrzny rezystor bramki. Mogą być stosowane w układach korekcji PFC oraz w przetwornicach rezonansowych LLC. Wbudowana dioda Zenera między bramką i źródłem zapewnia mniejsze obciążenie tlenku bramki i większą odporność na wyładowania ESD, co zmniejsza awaryjność. Dwa pierwsze tranzystory tej grupy, NTHL099N60S5 i NTHL120N60S5Z o rezystancji R_DS(on) odpowiednio 99 mΩ i 120 mΩ, są zamykane w obudowach TO-247.

Tranzystory SUPERFET V w wersji fast recovery (FRFET), nadają się do pracy w topologii soft switching, np. w konwerterach PSFB (phase-shifted full bridge) i LLC. Do ich zalet należy wbudowana szybka dioda zabezpieczająca, mały ładunek Q_rr i krótki czas t_rr. NTP125N60S5FZ to tranzystor z wbudowaną diodą Zenera, zamykany w obudowie TO-220. Jego rezystancja R_DS(on) wynosi 125 mΩ. Do tej grupy tranzystorów należy też NTMT061N60S5F o rezystancji R_DS(on) równej 61 mΩ, zamykany w obudowie Power88 oraz NTHL019N60S5F o rezystancji R_DS(on) wynoszącej zaledwie 19 mΩ, zamykany w obudowie TO-247.