Podwójne sterowniki bramek tranzystorów SiC MOSFET i IGBT z izolacją do 6 kV

Nowe, podwójne sterowniki bramek z oferty firmy STMicroelectronics pozwalają zoptymalizować i uprościć konstrukcję wysokonapięciowych układów przełączających. Występują one w dwóch wariantach: STGAP2HD do współpracy z tranzystorami IGBT i STGAP2SICD do tranzystorów SiC MOSFET. Obie zapewniają izolację galwaniczną wewnętrznych kanałów i charakteryzują się odpornością na impulsy o szybkości narastania napięcia do co najmniej ±100 V/ns, co zapobiega przypadkowemu włączaniu tranzystorów w środowiskach o silnych zaburzeniach elektromagnetycznych.

STGAP2HD i STGAP2SICD pracują z maksymalnym prądem obciążenia równym 4 A. Dwie wyjściowe linie sterujące w każdym z kanałów dają dodatkową elastyczność sterowania bramkami, umożliwiając niezależne programowanie czasu włączania i wyłączania. Aktywny układ Millera zapobiega pojawianiu się przepięć na bramkach podczas szybkiej komutacji w topologiach półmostkowych.

Oba układy są przystosowane do pracy z napięciem zasilania tranzystorów do 1200 V. Charakteryzują się krótkim czasem propagacji między wejściem i wyjściem, wynoszącym 75 ns. Zawierają zabezpieczenie termiczne i podnapięciowe, watchdog oraz zabezpieczenie przed przypadkowym włączeniem obu tranzystorów wyjściowych błędną komendą logiczną. Zabezpieczenie to można również wyłączyć, co pozwala na niezależną, równoległą pracę obu kanałów.

Sterowniki STGAP2HD i STGAP2SICD mogą być sterowane z wyjść układów logicznych TTL/CMOS od 3,3V. Są zamykane w identycznych obudowach SO-36W. Ich ceny hurtowe zaczynają się od 1,84 USD przy zamówieniach 1000 sztuk. W ofercie firmy STMicroelectronics dostępne są też płytki demonstracyjne EVALSTGAP2HDM i EVALSTGAP2SICD, umożliwiające projektantom szybką ocenę przydatności obu układów w półmostkowych układach napędowych.