Para precyzyjnych n-kanałowych tranzystorów MOSFET o zerowym napięciu progowym Vth

Do oferty firmy Advanced Linear Devices wchodzą nietypowe, podwójne tranzystory n-MOSFET ALD210800A/ALD210800 o zerowym napięciu progowym (Vth), przeznaczone do zastosowań w obwodach analogowych. Są one produkowane w opracowanym przez ALD procesie EPAD CMOS i stanowią odpowiedniki wprowadzonych wcześniej do oferty tranzystorów ALD110800A/ALD110800, charakteryzujące się zwiększoną transkonduktancją i przewodnością wyjściową, zwłaszcza w zakresie bardzo małych napięć zasilania.

Tranzystory ALD210800A/ALD210800 doskonale nadają się do zastosowań w aplikacjach niskonapięciowych, pozwalając realizować obwody złożone z kilku stopni kaskadowych. Na przykład, zrealizowano na nich wzmacniacz zasilany napięciem zaledwie 0,2 V. Zapewniają bardzo dobre dopasowanie napięcia progowego bramek na poziomie 0 V ±0,01 V, I_DS=10 μA @ V_DS=0,1 V przy napięciu offsetu wynoszącym typowo 1 mV. Ze względu na umieszczenie struktury na pojedynczym chipie, oba tranzystory w parze zapewniają też jednakowe parametry termiczne. Mogą być wykorzystane do realizacji luster prądowych, obwodów dopasowujących, źródeł prądowych, stopni wejściowych wzmacniaczy różnicowych itp.

Poza precyzyjnym dopasowaniem parametrów elektrycznych obu tranzystorów w parze, poszczególne tranzystory MOSFET EPAD wykazują również bardzo małe tolerancje pomiędzy kolejnymi partiami produkcyjnymi. Mogą one pracować z asymetrycznym i różnicowym napięciem zasilania z zakresu 0,1...10 V (±0,05...±5 V) w aplikacjach, w których istotny jest jak najmniejszy prąd wejściowy, jak najmniejsza pojemność wejściowa i możliwość pracy z dużą szybkością przełączania.

ALD210800A/ALD210800 charakteryzują się dużą impedancją wejściową (2,5 x 10¹⁰ Ω) i dużym wzmocnieniem prądowym (>10⁸). Są zamykane w 16-wyprowadzeniowych obudowach SOIC i DIP.