Tranzystory MOSFET MDmesh o dużej gęstości mocy i małych stratach
STMicroelectronics SA oddział w Polsce
STMicroelectronics powiększa rodzinę małostratnych tranzystorów MOSFET MDmesh o dużej gęstości mocy. Do oferty wchodzą dwa nowe n-kanałowe tranzystory superzłączowe STPOWER MDmesh M9 i DM9, zaprojektowane do zastosowań w zasilaczach impulsowych serwerów, infrastruktury 5G i wyświetlaczy.
650-woltowy STP65N045M9 i 600-woltowy STP60N043DM9 wyróżniają się bardzo małą rezystancją RDS(on) w przeliczeniu na powierzchnię chipa. Ich maksymalna rezystancja RDS(on) wynosi odpowiednio 45 mΩ i 43 mΩ, dopuszczalny prąd ciągły drenu 55 A i 56 A, a ładunek bramki jedynie 80 nC przy napięciu drenu 400 V. Napięcie progowe bramki, wynoszące odpowiednio 3,7 V i 4,0 V, obniżono w stosunku do wcześniejszych odpowiedników MDmesh M5 i M6/DM6, co w konsekwencji pozwoliło zredukować straty przy przełączaniu. Straty te zmniejsza dodatkowo bardzo mały ładunek regeneracji (Qrr) i bardzo krótki czas regeneracji (trr). Wszystkie tranzystory MDmesh DM9 charakteryzują się dużą niezawodnością o czym świadczy m.in. odporność na impulsy przepięciowe o czasie narastania do co najmniej 120V/ns @ 400 V.
STP65N045M9 i STP60N043DM9 są zamykane w obudowach TO-220. Ich produkcja ma się rozpocząć w 2. kwartale b.r. Cena hurtowa STP65N045M9 będzie wynosiła od 6,30 USD przy zamówieniach 1000 sztuk.
