Firma Advanced Linear Devices opracowała układ z dwiema parami komplementarnych tranzystorów MOSFET: p-kanałową (odpowiednik ALD1117) i n-kanałową (odpowiednik ALD1116), przeznaczony do zastosowań w precyzyjnych obwodach analogowych. Może on służyć do realizacji luster prądowych, układów próbkująco-pamiętających, komparatorów napięcia, różnicowych stopni wejściowych wzmacniaczy itp. Zawiera tranzystory z kanałem wzbogacanym, produkowane w procesie ACMOS z bramką krzemową.
ALD1105 stanowi niskoprądowy odpowiednik wcześniejszego modelu ALD1103. Charakteryzuje się dużą rezystancją wejściową (1013 Ω) i ujemnym współczynnikiem temperaturowym. Pary tranzystorów są dopasowane pod kątem napięcia niezrównoważenia i parametrów termicznych. Nadają się do pracy w precyzyjnych układach przełączników i wzmacniaczy o napięciu zasilania z zakresu od 2 do 10 V, w których kluczowy jest mały prąd wejściowy, mała pojemność wejściowa i krótki czas przełączania. Zapewniają bardzo duże wzmocnienie prądowe (109) w zakresie małych częstotliwości. Wyróżniają się małym napięciem progowym, wynoszącym -0,7 V/+0,7 V dla tranzystorów p- i n-kanałowych. Podłoże jest wyprowadzone na osobny pin, a nie zwarte ze źródłem, dzięki czemu tranzystory są w pełni dwukierunkowe.
Pozostałe parametry:
Więcej na: www.aldinc.com