n-kanałowe tranzystory MOSFET o małej rezystancji RDS(on) i wymiarach od 1,0 x 0,6 x 0,2 mm

Nexperia powiększa ofertę miniaturowych, n-kanałowych tranzystorów MOSFET o 3 nowe warianty o napięciu przewodzenia 30 V i 12 V, zapewniające bardzo małe straty przewodzenia w urządzeniach o dużej gęstości upakowania podzespołów: smartfomach, słuchawkach dousznych, smartwatchach itp. PMCB60XN i PMCB60XNE to tranzystory 30-woltowe, produkowane w technologii Trench i zamykane w obudowach DSN1006 o wymiarach 1,0 x 0,6 x 0,2 mm. Ich rezystancja R_DS(on) jest mniejsza o 25% od najbliższych odpowiedników i wynosi odpowiednio 50 mΩ i 55 mΩ (@ V_GS=4,5 V). Dopuszczalny prąd drenu to 4 A. PMCB60XNE zawiera zabezpieczenie ESD do 2 kV HBM.

PMCA14UN, trzeci z nowych tranzystorów, charakteryzuje się napięciem znamionowym 12 V i maksymalną rezystancją R_DS(on) równą 16 mΩ @ V_GS=4,5 V. Jest on zamykany w obudowie SOT8007 o wymiarach 0,96 x 0,96 x 0,24 mm.