650-woltowe tranzystory SiC MOSFET 3. generacji do zastosowań przemysłowych

Do oferty firmy Toshiba wchodzi 5 nowych n-kanałowych tranzystorów SiC MOSFET 3. generacji, pozwalających zmniejszyć straty i powierzchnię płytki drukowanej w aplikacjach przemysłowych i motoryzacji. Mogą one znaleźć szeroki zakres zastosowań w zasilaczach impulsowych i UPS w serwerach, centrach danych i komunikacji, a także w falownikach systemów fotowoltaicznych i dwukierunkowych konwerterach DC-DC, stosowanych m.in. w ładowarkach samochodowych.

W porównaniu z tranzystorami wcześniejszej generacji, TW015N65C, TW027N65C, TW048N65C, TW083N65C i TW107N65C charakteryzują się zoptymalizowaną strukturą komórek, pozwalającą na zmniejszenie współczynnika FOM (R_DS(on) X Q_g) nawet o 80%, co redukuje straty mocy przy pracy impulsowej i pozwala zwiększyć gęstość mocy. Mogą przewodzić prądy o natężeniu do 100 A i charakteryzują się małą rezystancją R_DS(on), już od 15 mΩ. Wszystkie są zamykane w obudowach TO-247 o wymiarach 21 x 16 x 5 mm. Wbudowana dioda Schottky'ego SiC (dostępna też w tranzystorach wcześniejszej generacji) charakteryzuje się małym napięciem przewodzenia V_F, wynoszącym typowo 1,35 V, co zwiększa niezawodność tranzystora.

	TW015N65C	TW027N65C	TW048N65C	TW083N65C	TW107N65C
VDSS	650 V
ID	100 A	58 A	40 A	30 A	20 A
RDS(ON) @ VGS=18 V	15 mΩ	27 mΩ	48 mΩ	83 mΩ	107 mΩ
Vth	3,0...5,0 V
CISS	4850 pF	2288 pF	1362 pF	873 pF	600 pF
tr	79 ns	50 ns	43 ns	41 ns	32 ns
ton	117 ns	80 ns	69 ns	68 ns	56 ns
tf	59 ns	40 ns	32 ns	28 ns	25 ns
toff	116 ns	83 ns	68 ns	55 ns	56 ns

Więcej na: www.toshiba.semicon-storage.com