650-woltowe tranzystory SiC MOSFET 3. generacji do zastosowań przemysłowych

Do oferty firmy Toshiba wchodzi 5 nowych n-kanałowych tranzystorów SiC MOSFET 3. generacji, pozwalających zmniejszyć straty i powierzchnię płytki drukowanej w aplikacjach przemysłowych i motoryzacji. Mogą one znaleźć szeroki zakres zastosowań w zasilaczach impulsowych i UPS w serwerach, centrach danych i komunikacji, a także w falownikach systemów fotowoltaicznych i dwukierunkowych konwerterach DC-DC, stosowanych m.in. w ładowarkach samochodowych.

W porównaniu z tranzystorami wcześniejszej generacji, TW015N65C, TW027N65C, TW048N65C, TW083N65C i TW107N65C charakteryzują się zoptymalizowaną strukturą komórek, pozwalającą na zmniejszenie współczynnika FOM (R_DS(on) X Q_g) nawet o 80%, co redukuje straty mocy przy pracy impulsowej i pozwala zwiększyć gęstość mocy. Mogą przewodzić prądy o natężeniu do 100 A i charakteryzują się małą rezystancją R_DS(on), już od 15 mΩ. Wszystkie są zamykane w obudowach TO-247 o wymiarach 21 x 16 x 5 mm. Wbudowana dioda Schottky'ego SiC (dostępna też w tranzystorach wcześniejszej generacji) charakteryzuje się małym napięciem przewodzenia V_F, wynoszącym typowo 1,35 V, co zwiększa niezawodność tranzystora.