Nowa generacja małostratnych 1200-woltowych tranzystorów SiC MOSFET
Do oferty firmy Toshiba wchodzą 1200-woltowe tranzystory SiC MOSFET 3. generacji, zaprojektowane do zastosowań w przemysłowych systemach konwersji mocy, np. stacjach ładowania EV, falownikach systemów fotowoltaicznych, zasilaczach UPS oraz dwukierunkowych i półmostkowych konwerterach DC-DC. Są to tranzystory o bardzo małym współczynniku FOM (RDS(on) x QGD), wykazujące bardzo małe straty przy przewodzeniu i przełączaniu. Zawierają wewnętrzną, zabezpieczającą diodę Schottky'ego, sprawdzoną w tranzystorach wcześniejszej generacji. Zwiększa ona niezawodność tranzystora, eliminując efekty pasożytnicze i utrzymując stabilną wartość rezystancji RDS(on).
Nowa oferta obejmuje pięć typów tranzystorów: TW015N120C, TW030N120C, TW045N120C, TW060N120C i TW140N120C, których rezystancja RDS(on) wynosi od 15 mΩ do 140 mΩ (dla VGS=18 V), a dopuszczalny prąd drenu to 20...100 A (dla +25°C). Wszystkie są zamykane w obudowach TO-247. Charakteryzują się szerokim zakresem napięcia bramka-źródło, od -10 V do 25 V, co zwiększa elastyczność pracy w różnych typach obwodów. Napięcie progowe bramki (VGS(th)) wynosi od 3,0 V do 5,0 V, zapewniając przewidywalne parametry przełączania przy minimalnym dryfcie i upraszczając projekt obwodu sterowania bramką.
