Miniaturowy 100-woltowy tranzystor GaN FET o rezystancji RDS(on) równej 3,8 mΩ

EPC2306, najnowszy tranzystor GaN FET z oferty firmy EPC (Efficient Power Conversion), charakteryzuje się małymi stratami przy przewodzeniu i przełączaniu, wynikającymi z rezystancji R_DS(on) zredukowanej do zaledwie 3,8 mΩ oraz małych ładunków wewnętrznych Q_G, Q_GD i Q_OSS. Jest to tranzystor o napięciu BV_DSS równym 100 V, dopuszczalnym ciągłym prądzie drenu 48 A i dopuszczalnym prądzie impulsowym 197 A (25°C, 300 µs), zamykany w chipowej obudowie QFN o powierzchni 5 x 3 mm z wyprowadzeniem radiatora. Jego zakres zastosowań obejmuje wszelkiego typu aplikacje wysokoprądowe o dużej gęstości mocy, w tym systemy zasilające i napędowe oraz wzmacniacze audio klasy D.

EPC2306 jest ponad dwukrotnie tańszym odpowiednikiem wprowadzonego wcześniej na rynek modelu EPC2302 (1,8 mΩ), zamykanym w obudowie o identycznych wymiarach i charakteryzującym się identycznym napięciem BV_DSS. Może stanowić jego zamiennik w aplikacjach, w których priorytetem jest cena podzespołów, a R_DS(on) ma mniej krytyczne znaczenie. Cena hurtowa EPC2306 wynosi 3,08 USD przy zamówieniach 1000 sztuk.

Firma EPC oferuje też płytkę ewaluacyjną EPC90145 z wyjściowym stopniem mocy zrealizowanym na dwóch tranzystorach EPC2306, scalonym sterownikiem bramek (uP1966E) i niezbędnymi komponentami współpracującymi. Służy ona do badania parametrów przetwornic DC-DC buck i boost o prądzie wyjściowym do 45 A, zrealizowanych na bazie EPC2306. Cena płytki EPC90145 wynosi 200 USD.