600-woltowy MOSFET o rekordowo małym współczynniku FOM
SiHK045N60EF to n-kanałowy tranzystor MOSFET 4. generacji, wyróżniający się rekordowo małym współczynnikiem FOM (RDS(ON)*Qg), przekładającym się ma małe straty przy pracy impulsowej. Jest on produkowany w niskoprofilowej (2,3 mm) obudowie PowerPAK 10 x 12 z szybką wewnętrzną diodą zabezpieczającą. Producent zaleca go do zastosowań w zasilaczach, systemach oświetleniowych, piecach indukcyjnych, spawarkach, falownikach i układach napędowych.
W porównaniu z tranzystorami poprzedniej generacji, SiHK045N60EF wykazuje mniejszą nawet o 29% rezystancję RDS(ON) i mniejszy o 60% ładunek bramki, będąc w chwili obecnej tranzystorem o najmniejszym współczynniku FOM spośród dostępnych na rynku odpowiedników. Jego rezystancja RDS(ON) wynosi 0,045 Ω @ 10 V i jest mniejsza o 27% od wariantów w obudowach PowerPAK 8 x 8. Ładunek bramki to zaledwie 70 nC, a współczynnik FOM (3,15 Ω*nC) jest mniejszy o 2,27% od najbliższego odpowiednika. W przypadku zastosowań w zasilaczach serwerowych i telekomunikacyjnych pozwala to uzyskać sprawność sięgającą 98%.
Tranzystor pracuje z maksymalnym ciągłym prądem drenu 47 A i maksymalnym prądem impulsowym 133 A. Jego maksymalna moc rozpraszana wynosi 278 W. Dopuszczalna temperatura pracy złącza zawiera się w przedziale od -55 do +150°C. Rezystancja termiczna (0,45 °C/W) jest mniejsza o ponad 30% od tranzystorów w obudowach PowerPAK 8 x 8.
