n-kanałowy MOSFET o ciągłym prądzie drenu ±3 A w obudowie o wymiarach 1,0 x 0,6 x 0,25 mm
RA1C030LD to miniaturowy n-kanałowy tranzystor MOSFET o napięciu przebicia 20 V i ciągłym prądzie drenu ±3 A, zaprojektowany specjalnie do zastosowań w smartfonach, słuchawkach dousznych, smartwatchach, inteligentnych okularach i innych urządzeniach o bardzo dużej gęstości upakowania podzespołów. Jest on zamykany w obudowie DSN1006-3 o powierzchni 1,0 x 0,6 mm i maksymalnej grubości 0,25 mm. Wykazuje mniejszy o 20% iloczyn RDS(on) x Qgd od innych tranzystorów MOSFET o zbliżonych wymiarach, co redukuje straty przy pracy impulsowej. Specjalnie zaprojektowana struktura wewnętrzna zapewnia ochronę izolacyjną ścianek obudowy, której nie oferują podobne tranzystory zamykane w obudowach standardowych.
RA1C030LD pracuje z maksymalnym ciągłym prądem drenu ±30 mA i maksymalnym prądem chwilowym ±12 A. Charakteryzuje się mocą znamionową 1 W, rezystancją RDS(on) równą 140 mΩ (VGS=4,5 V, ID=3,0 A) i ochroną przed wyładowaniami ESD do 2 kV (HBM). Jego zakres dopuszczalnej temperatury pracy złącza rozciąga się od -55 do +150°C. Rezystancja termiczna złącze-otoczenie wynosi 125°C/W po zamontowaniu na płytce drukowanej o powierzchni 40 x 40 mm i grubości 0,8 mm.
