80-woltowy tranzystor GaN FET o rezystancji RDS(on) 4 mΩ i powierzchni 2,5 x 1,5 mm
Firma EPC wprowadza na rynek 80-woltowy tranzystor GaN FET EPC2619 o rezystancji RDS(on) równej 4 mΩ, zapewniający dwukrotnie większą gęstość mocy od tranzystorów wcześniejszej generacji. Jest to tranzystor o dopuszczalnym prądzie ciągłym drenu 29 A i powierzchni 2,5 x 1,5 mm, oferujący lepsze parametry przy mniejszych gabarytach od dostępnych obecnie na rynku tranzystorów MOSFET projektowanych do aplikacji o dużej gęstości mocy. Jego iloczyn RDS(on) i powierzchni wynosi 15 mΩ*mm2 i jest 5-krotnie mniejszy niż w przypadku 80-woltowych tranzystorów MOSFET, natomiast iloczyn RDS(on) x QGD, decydujący o stratach na przełączanie, jest mniejszy 10-krotnie. EPC2619 może znaleźć zastosowanie w konwerterach DC-DC i układach napędowych m.in. robotów, rowerów elektrycznych i elektronarzędzi.
Do oceny parametrów nowego tranzystora, firma EPC przygotowała płytkę deweloperską EPC90153 o wymiarach 50,8 x 50,8 mm z dwoma tranzystorami EPC2619 połączonymi w układzie półmostkowym, generującymi maksymalny prąd wyjściowy 20 A. Płytka ułatwia proces oceny tranzystorów w układach zasilania, skracając czas wprowadzania nowych produktów na rynek. Zawiera wszystkie niezbędne komponenty, których wartości zostały dobrane pod kątem zapewnienia optymalnych parametrów przy pracy impulsowej.
Cena hurtowa tranzystora EPC2619 wynosi 1,9 USD przy zamówieniach 2500 sztuk, natomiast cena płytki deweloperskiej EPC90153 to 200 USD.
